[发明专利]确定测量模式和光学系统参数容差的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201410542475.3 申请日: 2014-10-14
公开(公告)号: CN105571484B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 王鑫;张振生;施耀明;徐益平 申请(专利权)人: 睿励科学仪器(上海)有限公司
主分类号: G01B11/00 分类号: G01B11/00;G06F17/30;B82Y35/00
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 罗朋
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 测量模式 光学系统参数 容差 信号偏移量 归一化 灵敏度 测量 结构参数测量 方法和装置
【说明书】:

发明提供了一种用于确定OCD测量中的光学系统参数容差的方案,其中,对于多个测量模式中的每一个测量模式所对应的归一化的信号偏移量;并从所述多个测量模式中选择所对应的归一化的信号偏移量最大的测量模式,作为最佳测量模式;并根据最佳测量模式所对应的未归一化的信号偏移量,确定所述光学系统参数容差。根据本实施例的方法,可以确定满足各个结构参数测量灵敏度和精确度需求的最佳测量模式,并确定各个光学系统参数容差,从而提高测量的灵敏度和精确度。

技术领域

本发明涉及光学测量技术领域,尤其涉及一种在计算机设备中面向待测器件结构的用于确定光学关键尺寸OCD(Optical Critical Dimension)测量中的测量模式和OCD测量设备的光学系统参数容差 (即,OCD测量设备的各光学系统参数的最大可接受误差范围)的方法和装置。

背景技术

随着2x纳米技术节点后摩尔时代的临近,器件的结构尺寸越来越小,新制程和新材料引入独特的图形设计规则和测量要求,如三维快闪存储器3D(3-Dimensional)Flash、鳍型场效应晶体管FinFET (Fin-Field-Effect-Transistor)、沉浸式光刻、光学邻近校正OPC (Optical Proximity Correction)、基于设计的测量DBM(Design Based Metrology)、双重掩膜DP(Double Patterning)、应变沟道和晶片堆迭通孔技术TSV(Through SiliconVia)等3D器件和新技术的导入,驱动光学关键尺寸OCD(Optical Critical Dimension)测量技术进一步提升测量的灵敏度和精确度,以应对愈加微细的工艺控制需求和尺寸越来越小的器件结构的测量要求。

目前,常用于极大规模集成电路制造工艺中的、基于散射光谱信号的光学关键尺寸OCD测量设备的主要光学系统硬件装置都是固定组装的,在测量器件结构时,其相应的光学系统参数(“OCD测量设备的光学系统参数”以下均简称为“光学系统参数”)也是固定不变的。这种测量方式难以满足目前对不同器件的高灵敏度和精确度测量需求。同时,芯片生产对各道工序中涉及的各个待测结构参数的容差提出具体的精确度需求,因此,如何针对性的改进光学测量系统设备的硬件装置的精确度,既满足测量精确度要求,同时高效实现测量设备的改造升级,成为面临解决的重要问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种在计算机设备中用于确定OCD测量中的测量模式和光学系统参数容差(即,OCD测量设备的各光学系统参数的最大可接受误差范围)的方法和装置。

根据本发明的一个方面,提供一种在计算机设备中用于确定OCD 测量中的测量模式和光学系统参数容差的方法,其中,该方法包括以下步骤:

a对于多个测量模式中的每一个测量模式,根据待测结构模型的多个结构参数中每个结构参数的标称值与预设最大容差值,确定每个结构参数的归一化的信号偏移量,并通过对各个结构参数所对应的归一化的信号偏移量的数值进行对比,选择其中最小的归一化的信号偏移量,作为该测量模式所对应的归一化的信号偏移量,其中,所述测量模式规定了用于测量所述待测结构模型的测量光的光谱类型以及光学系统参数组合;

b从所述多个测量模式中选择所对应的归一化的信号偏移量最大的测量模式,作为最佳测量模式;

c根据最佳测量模式所对应的未归一化的信号偏移量,确定所述光学系统参数容差。

根据本发明的另一个方面,还提供了一种在计算机设备中用于确定OCD测量中的光学系统参数容差的取值范围确定装置,其中,该取值范围确定装置包括以下装置:

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