[发明专利]化学机械抛光方法、其抛光时间制程的设置方法及晶圆有效
申请号: | 201410542490.8 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105563301B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李一斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 吴贵明,张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 方法 抛光 时间 设置 | ||
1.一种化学机械抛光的抛光时间制程的设置方法,其特征在于,所述设置方法包括以下步骤:
建立抛光垫使用时间和抛光时间的关系式Y=aX+b,其中Y为所述抛光时间,单位为秒,X为所述抛光垫使用时间,单位为个,b为刚开始使用所述抛光垫时对应的所述抛光时间,单位为秒,a为所述抛光时间的补偿系数,单位秒/个且a>0;
按照所述关系式Y=aX+b设置抛光机台中的抛光时间制程,以使得所述抛光机台随着所述抛光垫使用时间的增加对所述抛光时间进行动态调整。
2.根据权利要求1所述的设置方法,其特征在于,所述关系式Y=aX+b中,a为0.03~0.04,b为91.0~94.0。
3.根据权利要求2述的设置方法,其特征在于,所述关系式Y=aX+b中,a=0.0335,b=92.546。
4.根据权利要求1所述的设置方法,其特征在于,建立所述关系式Y=aX+b的步骤包括:
获取不同所述抛光垫使用时间和相应所述抛光时间的统计数据;
对所述统计数据进行拟合,以获得所述关系式Y=aX+b。
5.根据权利要求4所述的设置方法,其特征在于,采用MATLAB对所述统计数据进行拟合。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设置方法,其特征在于,在设置所述抛光时间制程的步骤中,将aX+b+c作为所述抛光时间制程的上限值,将aX+b-c作为所述抛光时间制程的下限值,其中1≤c≤3,c单位为秒。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的设置方法,其特征在于,在设置所述抛光时间制程的步骤中,将(100%+d)(aX+b)作为所述抛光时间制程的上限值,将(100%-d)(aX+b)作为所述抛光时间制程的下限值,其中1%≤d≤3%。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的设置方法,其特征在于,采用所述抛光机台中的应用软件系统设置所述抛光时间制程。
9.一种化学机械抛光方法,包括将晶圆置于抛光机台的抛光垫上,设置抛光时间制程,以及对所述晶圆进行抛光的步骤,其特征在于,设置所述抛光时间制程的方法为权利要求1至8中任一项所述的设置方法。
10.一种晶圆,其特征在于,所述晶圆经权利要求9所述的化学机械抛光方法抛光而成。
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