[发明专利]等离子体处理方法

说明书

目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。

技术领域

本发明涉及等离子体处理方法。

背景技术

半导体装置的制造工序中，进行通过等离子体蚀刻在半导体晶圆等基板上形成微细图案的操作。此时，存在如下情况：通过等离子体蚀刻，基板上的被蚀刻材料与等离子体蚀刻中所应用的反应气体反应，反应产物主要堆积在蚀刻而得到的图案的侧壁部。

该反应产物成为用于阻止等离子体蚀刻时对蚀刻而得到的图案的侧壁部进行蚀刻的保护膜。另一方面，如果以该反应产物残留的状态在后续工序中进行CVD(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))膜的形成、布线形成等，则有时反应产物成为微粒的原因、布线故障的原因。因此，必须将主要堆积于图案的侧壁部的反应产物去除。

例如，专利文献1中作为反应产物的去除方法，公开了对形成有图案的基板用稀氢氟酸水溶液进行湿蚀刻处理，在包括蚀刻面的整面上覆盖包含OH或H的有机材料膜之后，用氧等离子体进行灰化的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-73840号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如果对基板用稀氢氟酸水溶液进行湿蚀刻处理，则堆积于蚀刻而成的图案的侧壁部的反应产物被去除，同时形成于基板上的基底层也被蚀刻，所以基底层受到损害。

因此，本发明的一个方案目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。

用于解决问题的方案

一个方案提供一种等离子体处理方法，其为使用形成了蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。

发明的效果

根据一个实施方式，提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。

附图说明

图1为一个实施方式的等离子体处理装置的整体构成图。

图2为一个实施方式的等离子体处理方法的流程图。

图3为一个实施方式的各工序中的含硅膜的概略剖面图。

图4为表示一个实施方式的堆积物的组成的图。

图5为表示一个实施方式的TEOS和多晶硅的蚀刻速率的图。

具体实施方式

以下，对于本发明的实施方式边参照附图边进行说明。需要说明的是，本说明书和附图中，对于实质上具有同一功能构成的构成要素，通过标注相同的符号而省略重复的说明。

(等离子体处理装置的整体构成)

首先，对于本发明的一个实施方式的等离子体处理装置1的整体构成，边参照图1边进行说明。此处，以电容耦合型平行平板等离子体处理装置为例，对于等离子体处理装置1进行说明。