[发明专利]一种制备厚膜SnO2气敏元件的方法

权利要求书

1.一种制备厚膜SnO₂气敏元件的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将分析纯SCl₄·5H₂O用去离子水配制成一定浓度的溶液；在室温下，剧烈搅拌的同时向溶液中缓慢滴入w(NH₃)约为25%的分析纯氨水，开始形成白色胶状沉淀时，加入有机分散剂，pH值接近3时停止滴加氨水，继续搅拌后静置；

（2）随后用去离子水充分洗涤，直至滤液中无Cl^—为止；用无水乙醇洗涤沉淀物2~3次，经超声分散后，置于烘箱中，加热处理后即制得SnO₂纳米粉体；

（3）在SnO₂粉体中加入适量添加剂和少量无机粘结剂；充分球磨混合后，用有机粘结剂和粉料调制成丝网印刷厚膜浆料；用手动精密丝网印刷机在已制备好铂电极的氧化铝基片上印制SnO₂膜；

（4）待浆料充分干燥后，在烧结炉中，对其进行热处理进行电老化。

2.如权利要求1所述的一种制备厚膜SnO₂气敏元件的方法，其特征在于所述步骤（3）中的粘结剂包括乙基纤维素。

3.如权利要求1所述的一种制备厚膜SnO₂气敏元件的方法，其特征在于所述步骤（3）中的SnO₂膜的厚度为65μm。

4.如权利要求1所述的一种制备厚膜SnO₂气敏元件的方法，其特征在于所述步骤（4）中进行热处理的温度为550℃。