[发明专利]显示器的像素电路及其补偿方法

权利要求书

1.一种显示器的像素电路，其特征在于，包括：

多根栅极线；

与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根数据线；

与所述多根栅极线相互交叉并绝缘的多根公共功率线；

由所述多根栅极线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元； 以及

一根假栅极线，与所述多根栅极线同向，并与所述多根数据线以及所述多根公 共功率线相互交叉并绝缘，其中，所述假栅极线上获取的偏移共电位用于对所述像 素电路进行共电位补偿。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述假栅极线位于所述多根 栅极线的一侧。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：

由所述假栅极线、所述多根数据线以及所述多根公共功率线所围成的区域限定 的多个假像素单元。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述多个假像素单元与所述 多个像素单元具有相同的电路结构。

5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，各所述像素单元包括：

一个开关薄膜晶体管，设有开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极；

一个驱动薄膜晶体管，设有驱动栅电极、驱动源电极以及驱动漏电极；

一个电容，设有第一维持电极以及第二维持电极；以及

一个发光二极管，

其中，所述开关薄膜晶体管的开关栅电极连接到所述栅极线，开关源电极 连接到所述数据线，开关漏电极连接到第一维持电极和所述驱动薄膜晶体管的 驱动栅电极，驱动源电极和第二维持电极分别连接到所述公共功率线，驱动漏 电极连接到所述发光二极管单元的正极，所述发光二极管的负极接地。

6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述开关薄膜晶体管以及所 述驱动薄膜晶体管如下结构中的一种：

PMOS结构；

NMOS结构；以及

CMOS结构。

7.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述开关薄膜晶体管以及所 述驱动薄膜晶体管为如下晶体管中的一种：

多晶硅薄膜晶体管；以及

非晶硅薄膜晶体管。

8.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述电容为瓷片电容。

9.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述发光二极管为有机发光 二极管。

10.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，各所述像素单元包括：

一个开关薄膜晶体管，设有开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极；

一个驱动薄膜晶体管，设有驱动栅电极、驱动源电极以及驱动漏电极；

一个电容，设有第一维持电极以及第二维持电极；以及

一个发光二极管，

其中，所述开关薄膜晶体管的开关栅电极连接到所述栅极线，开关源电极 连接到所述数据线，开关漏电极连接到第一维持电极和所述驱动薄膜晶体管的 驱动栅电极，驱动漏电极和第二维持电极分别接地，驱动源电极连接到所述发 光二极管单元的负极，所述发光二极管的正极连接到所述公共功率线。

11.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，所述开关薄膜晶体管以及 所述驱动薄膜晶体管为如下结构中的一种：

PMOS结构；

NMOS结构；以及

CMOS结构。

12.根据权利要求11所述的像素电路，其特征在于，所述开关薄膜晶体管以及 所述驱动薄膜晶体管为如下晶体管中的一种：

多晶硅薄膜晶体管；以及

非晶硅薄膜晶体管。

13.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，所述电容为瓷片电容。

14.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，所述发光二极管为有机发 光二极管。