[发明专利]液晶密封剂及使用该液晶密封剂的液晶显示单元在审
申请号: | 201410545573.2 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN104570497A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 桥本昌典;今冈大辅;内藤正弘;菅原坚太;西原荣一;内藤伸彦 | 申请(专利权)人: | 日本化药株式会社 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 于洁;王海川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 密封剂 使用 液晶显示 单元 | ||
技术领域
本发明涉及液晶滴注工艺中使用的液晶密封剂。更详细而言,本发明涉及一种用于液晶滴注工艺的液晶密封剂,其在点胶、丝网印刷等中的涂布操作性优良,并且,对液晶向液晶密封剂中嵌入的耐性也优良。
背景技术
伴随近年来的液晶显示单元的大型化,作为液晶显示单元的制造方法,提出了量产性更高的所谓的液晶滴注工艺(专利文献1、专利文献2)。具体而言为如下的液晶显示单元的制造方法:在将液晶滴注到形成在一个基板上的液晶密封剂的围堰的内侧后,贴合另一个基板,然后将液晶密封剂固化。
但是,液晶滴注工艺中,在液晶密封剂固化之前,液晶与液晶密封剂接触,因此,会产生由于液晶所产生的压力而嵌入液晶密封剂中的现象,并且也有时会发生溃决,从而被视为问题。在即使在并用光和热的液晶滴注工艺中也存在位于布线等的阴影处从而未照射到充分紫外线的部分的液晶显示单元的制造中、或作为未进行紫外线照射而仅利用热将液晶密封剂固化的方法的液晶滴注工艺中,该问题是特别大的问题。为了解决该问题,需要提高液晶的滴注量的精度,但即使这样,由于液晶在作为液晶密封剂的固化工序的加热时发生膨胀,因此,难以完全抑制上述嵌入现象。
为了解决该问题,提出了各种各样的技术。
在对比文献3中,通过使用有机膨润土而解决了上述问题。该方 法对液晶的嵌入有一定的成果,但是很难说是充分的。
在对比文献4中,记载了使用利用气相二氧化硅、聚硫醇的液晶密封剂来进行液晶密封剂的B阶段化处理的方法。但是,该方法中,存在工序延长以及需要用于该工序的装置的缺点。
在对比文献5中,公开了通过使用热自由基聚合引发剂提高固化速度来防止嵌入的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂。但是,该方法存在液晶密封剂的保存稳定性显著降低的缺点。
在对比文献6中,记载了一次平均粒径比较大的硅橡胶粉末提高对液晶嵌入的耐性的内容。但是,该方法中,如果不大量添加该硅橡胶则无法得到充分的效果,结果,液晶密封剂的触变比增高,使得点胶、丝网印刷等的涂布操作性降低。
如上所述,尽管非常尽力地对液晶密封剂进行了开发,但尚未完成具有充分的嵌入耐性并且涂布操作性也优良的液晶密封剂。
本申请发明实现了兼顾上述嵌入耐性和涂布操作性这样的实质上相反的性质的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭63-179323号公报
专利文献2:日本特开平10-239694号公报
专利文献3:日本特开2010-14771号公报
专利文献4:日本特开2011-150181号公报
专利文献5:国际公开第2011/061910号
专利文献6:国际公开第2011/001895号
发明内容
发明所要解决的问题
本发明涉及液晶滴注工艺中使用的液晶密封剂,更详细而言,提出了在点胶、丝网印刷等中的涂布操作性优良、并且对液晶向液晶密封剂中嵌入的耐性也优良的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂。
用于解决问题的手段
本发明人进行了深入研究,结果发现,在含有有机填料的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂中,在该有机填料的总量中的、粒径为所制成的液晶显示单元的单元间隙的宽度(μm)以下的有机填料在一定数量以下的情况下,具有非常优良的嵌入特性,而且涂布操作性也优良。
另外,本说明书中,“(甲基)丙烯酸类”((メタ)アクリル)表示“丙烯酸类和/或甲基丙烯酸类”,“(甲基)丙烯酰基”表示“丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基”。另外,也有时将“用于液晶滴注工艺的液晶密封剂”仅记载为“液晶密封剂”。
即,本发明涉及:
1)一种用于液晶滴注工艺的液晶密封剂,其为含有有机填料(a)和固化性化合物(b)的液晶密封剂,其中,在上述(a)有机填料的总量中,10%D为液晶显示单元的单元间隙的宽度(μm)以上。
2)如上述1)所述的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂,其中,在上述(a)有机填料的总量中,10%D为5μm以上。
3)如上述1)或2)所述的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂,其中,在上述(a)有机填料的总量中,0%D为3μm以上。
4)如上述1)至3)中任一项所述的用于液晶滴注工艺的液晶密封剂,其中,在上述(a)有机填料的总量中,90%D为15μm以下。
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