[发明专利]硅/锗酸盐荧光粉及其制备方法和应用有效
申请号: | 201410545720.6 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN104327852A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 刘永福;张建新;蒋俊;江浩川 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C09K11/66 | 分类号: | C09K11/66;H01L33/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
地址: | 315201 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锗酸盐 荧光粉 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种硅/锗酸盐荧光粉,其特征在于,所述硅/锗酸盐荧光粉的化学通式为(Ba1-xMx)9(Lu2-yCey)(Si1-zGez)6O24;
其中,M为Mg、Ca、Sr和Zn中的一种或多种,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.5,0≤z≤1,且x、y、z为摩尔分数。
2.根据权利要求1所述的硅/锗酸盐荧光粉,其特征在于,所述硅/锗酸盐荧光粉属于菱方晶系,空间点群为R3。
3.根据权利要求1所述的硅/锗酸盐荧光粉,其特征在于,所述硅/锗酸盐荧光粉的化学通式为Ba9(Lu2-yCey)Si6O24,0.0001≤y≤0.5,且y为摩尔分数。
4.根据权利要求1所述的硅/锗酸盐荧光粉,其特征在于,所述硅/锗酸盐荧光粉的激发波长为250nm~420nm,所述硅/锗酸盐荧光粉的发射波长为420nm~620nm。
5.根据权利要求1所述的硅/锗酸盐荧光粉,其特征在于,所述硅/锗酸盐荧光粉的最强发射峰位于430nm~500nm处。
6.一种如权利要求1~5任一项所述的硅/锗酸盐荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S100:按照所述的硅/锗酸盐荧光粉的化学计量比称取反应原料;
S200:将称好的反应原料研磨混匀;
S300:在还原气氛中,将所述混匀的反应原料进行烧结后得到烧结体;
S400:将所述烧结体冷却至室温后研磨,得到所述的硅/锗酸盐荧光粉。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述反应原料为含有所述的硅/锗酸盐荧光粉中元素的氧化物、氟化物、氯化物、碳酸盐、硼酸盐、草酸盐或醋酸盐。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述还原气氛为氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛或氮氢混合气气氛。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤S300中,烧结温度为1200℃~1500℃,烧结时间为2h~5h。
10.一种如权利要求1~5任一项所述的硅/锗酸盐荧光粉在白光LED和场发射显示屏中的应用。
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