[发明专利]一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410546469.5 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN104409626A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 赵晓林;王建禄;孟祥建;孙硕;沈宏;韩莉;孙璟兰;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L41/45 | 分类号: | H01L41/45;C08J5/18;C08L27/16 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvdf 高压电 系数 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法,其特征包括以下步骤:
(1)将衬底材料清洗干净保证其表面的平整度,并做表面疏水处理;
(2)将不同PVDF基有机铁电聚合物溶液滴均匀铺入朗缪尔-布罗基特设备已经注入静置超纯水的液体槽中,待PVDF基有机铁电聚合物均匀分布在液面,并通过挤压成膜的液面,通过控制液面表面压力使薄膜成膜连续;
(3)将连续薄膜通过水平转移朗缪尔-布罗基特方法转移至衬底上,通过交替转移不同PVDF基有机铁电聚合物薄膜,重复一定周期,并将生长的交替薄膜经过退火处理,薄膜的退火温度110-135℃,维持4小时后,冷却至室温,便形成PVDF基高压电系数薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法,其特征在于,所述的衬底材料为石英玻璃,氧化物单晶,硅基片或有机薄膜材料,衬底的表面粗糙度低于3纳米。
3.根据权利要求1所述的一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法,其特征在于,所述的PVDF基有机铁电聚合物为:聚偏氟乙烯单聚物,聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物P(VDF-TrFE-CFE)。
4.根据权利要求1所述的一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法,其特征在于,所述的PVDF基有机铁电聚合物溶液的溶剂为二甲基亚砜,其溶液浓度的质量百分含量为0.01%。
5.根据权利要求1所述的一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法,其特征在于,所述的超纯水的电阻为18.2兆欧姆,液面表面压控制在5毫牛顿每米。
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