[发明专利]CMOS低温低噪声运放电路无效
申请号: | 201410546517.0 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN104362992A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 袁红辉;陈永平;陈世军;宋伟清 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/26;H03F1/30 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 低温 噪声 电路 | ||
【权利要求书】:
1.一种CMOS低温低噪声运放电路,包括放大电路模块和偏置电路模块,其特征在于:
所述的放大电路模块采用差分输入的折叠共源共栅结构的放大电路,其中差分输入对管采用宽长比大于100的PMOS管,共源共栅结构的开环增益大于80dB;
所述的偏置电路模块采用多级电流镜套构的方式,其基准电流部分采用二极管连接方式的有源电阻组成。
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