[发明专利]用于提高衬底载体的性能的方法

权利要求书

1.一种衬底载体，包括：支撑一个或多个衬底的底面的凹口，所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质被这样修改，即首先使在所述一个或多个衬底的生长表面上沉积的层的测量的参数与所述凹口的至少一个物理性质关联，然后响应于测量的参数修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，其中，所述测量的参数包括性能指标，所述性能指标与沉积在所述生长表面上的层相关联。

2.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。

3.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。

4.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，使在所述衬底上沉积的层的测量的参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。

5.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，使在所述衬底上沉积的层的测量的参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。

6.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部深度。

7.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部热导率。

8.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部发射率。

9.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部机械特性。

10.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述测量的参数是从由在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电气参数、和在衬底上沉积的层的电光参数组成的集合中挑选的。

11.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，关联所述测量的参数包括使特定位置中的沉积层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。

12.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，修改所述凹口的局部化区域包括从所述局部化区域去除材料。

13.根据权利要求12所述的衬底载体，其中，材料在离散的局部化区域中被去除。

14.根据权利要求12所述的衬底载体，其中，材料被去除以形成连续的等值线。

15.根据权利要求12所述的衬底载体，其中，通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。

16.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，修改所述凹口的局部化区域包括向衬底载体添加材料。

17.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，修改所述凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率。

18.根据权利要求17所述的衬底载体，其中，通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。

19.根据权利要求17所述的衬底载体，其中，通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。

20.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，修改所述凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率。

21.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，修改所述凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性。

22.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口具有预定的深度等值线。

23.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述凹口具有预定的热等值线。

24.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。

25.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述测量的参数包括光学强度。

26.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述测量的参数包括光学发射波长。