[发明专利]具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构

权利要求书

1.一种具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：包括散热器(1)、固定在散热器上的控制元器件和覆盖在控制元器件上的壳体(2)，所述控制元器件包括控制板(10)、电容板(11)、驱动板(12)、铜排和功率驱动模块，所述驱动板(12)贴合散热器(1)安装，所述电容板(11)位于驱动板(12)上方；所述功率驱动模块包括与外接电机励磁绕组L1之间通过铜排和驱动板连接形成H桥电路的四组MOSFET管和与电机电枢绕组M并联的续流二极管D1，所述控制板控制四组MOSFET管的开启和关闭；所述铜排包括间隔布置在驱动板(12)上的第一铜排(26)、第二铜排(27)、第三铜排(28)、第四铜排(29)、第五铜排(30)、第六铜排(31)和第七铜排(32)，所述第六铜排(31)连接在第四铜排(29)和第七铜排(32)之间，铜排和驱动板(12)一起通过绝缘套和螺钉锁紧在散热器(1)上；所述第一铜排(26)和第二铜排(27)长度相同且平行间隔布置，所述第三铜排(28)和第四铜排(29)在第二铜排同一侧间隔布置，第三铜排(28)和第四铜排(29)的长度均小于第二铜排的长度，所述第五铜排(30)位于第七铜排(32)下方叠层布置，所述第五铜排(30)与第七铜排(32)之间通过绝缘条(33)隔开，所述第一铜排与第二铜排之间的距离、第三铜排与第二铜排之间的距离、第四铜排与第二铜排之间的距离以及第三铜排与第五铜排之间的距离均相同。

2.如权利要求1所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述四组MOSFET管分别为MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3和MOSFET管Q4，所述MOSFET管Q1和MOSFET管Q2间隔焊接在驱动板上分别位于第二铜排(27)和第三铜排(28)之间以及第二铜排(27)和第四铜排(29)之间，所述MOSFET管Q3和MOSFET管Q4间隔焊接在驱动板上分别位于第三铜排(28)和第五铜排(30)之间以及第四铜排(29)和第五铜排(30)之间。

3.如权利要求2所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述第二铜排(27)与MOSFET管Q1和MOSFET管Q2的漏极连接，所述第三铜排(28)与MOSFET管Q1的源极和MOSFET管Q3的漏极连接，所述第四铜排(29)与MOSFET管Q2的源极和MOSFET管Q4的漏极连接，所述第五铜排(30)与MOSFET管Q3和MOSFET管Q4的源极连接。

4.如权利要求1所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述续流二极管D1焊接在驱动板上位于第一铜排(26)和第二铜排(27)之间，其阴阳两极分别与第一铜排(26)和第二铜排(27)连接，所述第一铜排(26)和第二铜排(27)端部分别引出端子作为连接电机电枢绕组M两端的输出端，所述第三铜排(28)和第七铜排(32)端部分别引出端子作为连接电机励磁绕组L1两端的输出端。

5.如权利要求1所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述第一铜排(26)和第五铜排(30)分别作为正极和负极，其顶部分别固定有第一铜箔(13)和第二铜箔(14)，所述电容板(11)两端分别通过第一铜箔(13)和第二铜箔(14)与第一铜排(26)和第五铜排(30)连接。

6.如权利要求5所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述电容板(11)一端插有第一塑料块(15)，第一塑料块(15)内锁入螺钉将电容板(11)、第一铜箔(13)、第一铜排(26)、驱动板(12)与散热器(1)压紧；电容板(11)另一端插有第一绝缘套(17)，第一绝缘套(17)内锁入螺钉将电容板(11)、第二铜箔(14)、第五铜排(30)、驱动板(12)与散热器(1)压紧。

7.如权利要求5所述的具有H桥换向功能的串励电机控制器功率模块组结构，其特征在于：所述第一铜箔(13)和第二铜箔(14)均为槽型结构，其内部分别夹有第二塑料块(16)和第三塑料块(18)。