[发明专利]集成电路及其使用的多晶体半导体电阻及制造方法

权利要求书

1.一种制造用于集成电路的多晶体半导体电阻的方法，包括：

在半导体基板上形成至少一个浅槽隔离场氧化物区域；

在半导体基板上形成邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域的至少一个哑元扩散层区域；以及

形成第一多晶体半导体电阻，其中形成第一多晶体半导体电阻包括：用多晶体半导体材料在所述至少一个浅槽隔离场氧化物区域上形成第一电阻臂，

用多晶体半导体材料在所述至少一个哑元扩散区域形成第二电阻臂；并且

在所述第一电阻臂和所述第二电阻臂之间电耦合用包括除了多晶体半导体材料之外的导电材料互连。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一电阻臂和所述第二电阻臂中的至少一个形成为垂直于该至少一个哑元扩散层区域。

3.如权利要求1所述的方法，还包括形成邻近第一多晶体半导体电阻的第二多晶体半导体电阻，其中形成所述第二多晶体半导体电阻包括：

用多晶体半导体材料在该至少一个浅槽隔离场氧化物区域形成第三电阻臂，以及

用多晶体半导体材料在所述至少一个哑元扩散层区域形成第四电阻臂。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

所述第一电阻臂形成在邻近哑元扩散层的第一区域的浅槽隔离场氧化物的第一区域上，所述第四电阻臂形成在所述哑元扩散区的第一区域上；以及

所述第三电阻臂形成在邻近哑元扩散层的第二区域的浅槽隔离场氧化物的第二区域上，所述第二电阻臂形成在所述哑元扩散层的第二区域上。

5.如权利要求3所述的方法，其中该第一多晶体半导体电阻和第二多晶体半导体电阻连接在一起以形成包括该第一多晶体半导体电阻和第二多晶体半导体电阻的单个多晶体半导体电阻。

6.一种集成电路，包括：

形成在半导体基板上的至少一个浅槽隔离场氧化物区域；

邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域在所述半导体基板上形成的至少一个哑元扩散层区域；以及

第一多晶体半导体电阻，其包括：

用多晶体半导体材料在所述至少一个浅槽隔离场氧化物区域上形成的第一电阻臂；

用多晶体半导体材料在所述至少一个哑元扩散区域形成的第二电阻臂；以及

用除了多晶体半导体材料以外的导电材料形成互连，在所述第一电阻臂和所述第二电阻臂之间电耦合。

7.如权利要求6所述的集成电路，其中所述第一电阻臂和所述第二电阻臂中的至少一个形成为垂直于该至少一个哑元扩散层区域。

8.如权利要求6所述的集成电路，还包括形成邻近第一多晶体半导体电阻的第二多晶体半导体电阻，该第二多晶体半导体电阻包括：

用多晶体半导体材料在该至少一个浅槽隔离场氧化物区域形成第三电阻臂，以及

用多晶体半导体材料在所述至少一个哑元扩散层区域形成第四电阻臂。

9.如权利要求8所述的集成电路，其中

所述第一电阻臂形成在邻近哑元扩散层的第一区域的浅槽隔离场氧化物的第一区域上，所述第四电阻臂形成在所述哑元扩散区的第一区域上；以及

所述第三电阻臂形成在邻近哑元扩散层的第二区域的浅槽隔离场氧化物的第二区域上，所述第二电阻臂形成在所述哑元扩散层的第二区域上。

10.如权利要求8所述的集成电路，其中该第一多晶体半导体电阻和第二多晶体半导体电阻连接在一起以形成包括该第一多晶体半导体电阻和第二多晶体半导体电阻的单个多晶体半导体电阻。

11.一种多晶体电阻，包括：

用多晶体半导体材料在至少一个浅槽隔离场氧化物区域上形成的第一电阻臂；

用多晶体半导体材料在至少一个哑元扩散区域形成第二电阻臂；以及

用除了多晶体半导体材料以外的导电材料形成互连，在所述第一电阻臂和所述第二电阻臂之间电耦合。