[发明专利]一种光刻胶清洗液

说明书

技术领域

本发明公开了光刻胶清洗液，尤其涉及一种有效地去除光刻胶残留物的 清洗液。

背景技术

在通常的LED和半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光 刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工 序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻 胶，同时不能腐蚀任何基材。

目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将 半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片 上的光刻胶。其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％； 如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵 (TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。 将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm 以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶 片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾 (KOH)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶 片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其对 半导体晶片基材的腐蚀较高。在这类清洗液中由于含有游离的强碱性基团— OH，而且存在水，故其对金属基材往往会造成一定的腐蚀。而另一类是基 本上不含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般小于5％，甚至基本上不含有 水。如US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环 丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40～120℃下除去金属和电介质基材上的 光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一种含有烷氧 基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清 洗液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。非水性光 刻胶清洗液由于不含有水，其对金属基材基本无腐蚀；但该类清洗液在操作 体系中混有少量的水的时候，其金属的腐蚀速率会显著上升，从而导致金属 基材的腐蚀。故存在操作窗口较小的问题。

由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀抑制方法和较大操作窗口的光刻 胶清洗液该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。

发明内容

本发明的目的是为了提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离 液组成及其应用。这种光刻胶清洗液，具有对半导体中光刻胶的快速去除能 力，同时对金属铝等具有非常低的蚀刻速率，还具有很好耐水性。该光刻胶 清洗液既能有效的去除光刻胶又能保护金属，还能预防吸水带来的金属腐蚀 速率升高问题。

该光刻胶剥离液含有C₄-C₆的多元醇及氮唑衍生物作为主要的腐蚀抑制 剂，两者同时使用，使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能 有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀。

本发明的一方面在于提供一种光刻胶清洗液，该光刻胶清洗液，含有醇 胺，溶剂和腐蚀抑制剂，且蚀抑制剂至少包括如下组分：

C₄-C₆的多元醇

氮唑衍生物。

其中，醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙 醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇 胺。优选单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物中的一种或多种。其中，醇胺的含 量为质量百分比5-50％，优选为质量百分比10-45％。

其中，溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇 醚中的一种或多种。优选地，亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或 多种；砜选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和 1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮和N- 环己基吡咯烷酮中的一种或多种；咪唑啉酮选自1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；酰 胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；醇醚选自二乙二醇单 丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。溶剂的含量为质量百分比40-90％， 优选地为质量百分比50-85％。