[发明专利]一种等离子体干法刻蚀用的托盘系统在审
申请号: | 201410549580.X | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN105448776A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 付星星;陈振浩;蓝文安;康凯;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523518 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 托盘 系统 | ||
1.一种等离子体干法刻蚀用的托盘系统,包括铝托盘(1)、氦气孔(2)、密封圈(3)、盖板(4),其特征在于铝托盘(1)的上表面和下表面均镶嵌着高导热性能材料层(6)。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体干法刻蚀用的托盘系统,其特征在于所述高导热性能材料(6)是石墨烯材料或石墨烯复合材料。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体干法刻蚀用的托盘系统,其特征在于所述的上表面石墨烯材料(或石墨烯复合材料)层厚度范围为0.1mm~1mm,下表面石墨烯材料(或石墨烯复合材料)层厚度范围为0.1mm~5mm。
4.根据权利要求1所述的托盘系统,其特征在于该托盘系统不仅可以应用于蓝宝石材料干法刻蚀工艺,还能应用于诸如氮化镓材料、硅材料和碳化硅材料的干法刻蚀工艺中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中镓半导体科技有限公司,未经东莞市中镓半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410549580.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可拆卸自动自底卸料式装料斗系统
- 下一篇:一种沟道刻蚀工艺的监测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造