[发明专利]芯片堆叠半导体封装件及其制造方法

说明书

一种芯片堆叠半导体封装件及其制造方法，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件以及电连接到第二连接构件的第一硅通孔(TSV)，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。

本申请要求在2013年10月16日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0123599号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用被全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体封装件和/或一种制造该半导体封装件的方法，例如，涉及一种包括彼此堆叠的多个芯片的芯片堆叠半导体封装件和/或一种制造该芯片堆叠半导体封装件的方法。

背景技术

半导体产业指以低成本来制造具有紧凑的设计、多功能、高储存容量和高可靠性的半导体装置为目标的公司的集合。可以实现这些目标的一项重要的技术就是半导体封装技术。在半导体封装技术中，提出了将包括彼此堆叠的多个芯片的芯片堆叠半导体封装件作为用来实现这些目标的方法。

发明内容

发明构思提供一种可以通过堆叠多个芯片而具有紧凑的设计、多功能和高储存容量的芯片堆叠半导体封装件。

发明构思还提供一种以低成本制造芯片堆叠半导体封装件的方法。

根据发明构思的示例实施例，提供有一种芯片堆叠半导体封装件，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有第一前表面、第一后表面以及位于第一前表面上的第一连接构件，第一后表面与第一前表面背对；第二芯片，具有第二前表面、第二后表面、第二连接构件以及电连接到第二连接构件的第一硅通孔(TSV)，第二后表面与第二前表面背对，第二连接构件位于第二前表面上；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间，第一芯片的第一连接构件和第二芯片的第二连接构件相对于彼此对称。

第一密封构件可以位于第一连接构件与第二连接构件之间的连接部分上，第一密封构件还位于第二芯片的侧表面上。

芯片堆叠半导体封装件还可包括位于第二芯片的第二后表面上的第三连接构件。第三连接构件将第一芯片和第二芯片连接到主芯片和板基底中的一个。芯片堆叠半导体封装件还可包括电连接到第三连接构件和至少一个第三芯片的第四连接构件。

芯片堆叠半导体封装件还可包括位于第三芯片的第三后表面上的第五连接构件。芯片堆叠半导体封装件还可包括填充第三连接构件与第四连接构件之间的空间的第二密封构件。第二密封构件可以位于第三连接构件与第四连接构件之间的连接部分上，第二密封构件可以位于第三芯片的侧表面上。

第一芯片的尺寸可以大于或等于第二芯片的尺寸。第一芯片的厚度可以大于或等于第二芯片的厚度。

第一芯片的第一后表面和侧表面可以被暴露。第二芯片的侧表面可以被暴露。

第一密封构件可以是底部填充件、粘附剂和成型构件中的至少一个。

根据发明构思的示例实施例，提供一种芯片堆叠半导体封装件，所述芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，包括具有第一前表面和与第一前表面背对的第一后表面的第一主体层和形成在第一前表面上的第一连接构件；第二芯片，包括具有第二前表面和与第二前表面背对的第二后表面的第二主体层、在第二主体层中的第一硅通孔(TSV)、位于第二前表面上以面对第一前面的第二连接构件以及位于第二芯片的第二后表面上的第三连接构件，第二连接构件电连接到第一TSV，第三连接构件电连接到第一TSV；第一密封构件，位于第一前表面与第二前表面之间，第一密封构件填充第一连接构件与第二连接构件之间的空间。