[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

采用第一能量向所述半导体衬底内注入第一剂量的N型离子以于所述半导体衬底内形成第一N插入层；

于所述半导体衬底的表面形成具有栅极图形的掩膜以将该半导体衬底的部分表面予以覆盖；

采用第二能量向所述半导体衬底内注入第二剂量的N型离子以于所述栅极图形正下方的半导体衬底内形成第二N插入层；

去除所述掩膜后，向所述半导体衬底内注入P型离子以制备P型阱区，所述第一N插入层变薄形成第三N插入层，所述第二N插入层由于顶部边缘部分被P型离子补偿而形成第四N插入层；

其中，所述第一能量大于所述第二能量，所述第一剂量小于等于所述第二剂量。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一能量的值为360-450kev，所述第一剂量的值为8e13-2e14ions·cm^-2。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，第二能量的值为500-1000kev，所述第二剂量的值为2e13-8e13ions·cm^-2。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第四N插入层位于所述半导体器件的沟道区下方，且与所述沟道区不接触。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三N插入层上表面和所述第四N插入层下表面接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜为光刻胶。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成第四N插入层后，于所述半导体衬底表面形成栅极结构，且所述栅极结构交叠在所述第四N插入层正上方；

进行轻掺杂工艺；

继续后续的源漏极制备工艺。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一半导体衬底；

设置于所述半导体衬底内的第一N插入层；

设置于所述第一N插入层上方的第二N插入层；

设置在所述半导体衬底之上的栅极结构，且所述栅极结构交叠在所述第二N插入层正上方；

形成所述第一N插入层和第二N插入层的步骤包括：

提供一衬底；

采用第一能量向所述衬底内注入第一剂量的N型离子以于所述衬底内形成原第一N插入层；

于所述衬底的表面形成具有栅极图形的掩膜以将该衬底的部分表面予以覆盖；

继续采用第二能量向所述衬底内注入第二剂量的N型离子以于所述栅极图形的正下方的衬底内形成原第二N插入层；

去除所述掩膜后，继续向所述衬底内注入P型离子以制备P型阱区，所述原第一N插入层变薄形成所述第一N插入层，所述原第二N插入层由于顶部边缘部分被P型离子补偿而形成第二N插入层，所述衬底为所述半导体衬底；

其中，所述第一能量大于所述第二能量，所述第一剂量小于等于所述第二剂量。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一能量的值为360-450kev，所述第一剂量的值为8e13-2e14ions·cm^-2。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，第二能量的值为500-1000kev，所述第二剂量的值为2e13-8e13ions·cm^-2。

11.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜为光刻胶。

12.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二N插入层位于所述半导体器件的沟道区下方，且与所述沟道区不接触。

13.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一N插入层上表面和所述第二N插入层下表面接触。