[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：绝缘电路基板；半导体元件，所述半导体元件搭载于所述绝缘电路基板；以及冷却器，所述冷却器冷却连接到所述绝缘电路基板的所述半导体元件，其中

所述冷却器包括：散热基板，所述散热基板接合到所述绝缘电路基板；翅片，所述翅片设置于所述散热基板的与所述绝缘电路基板接合的接合面相反的面；壳体，所述壳体容纳所述翅片，并且所述壳体连接到所述散热基板；冷却剂的导入口和排出口，所述导入口和所述排出口设置于所述壳体的彼此相对的侧壁，并且所述导入口和所述排出口设置于所述壳体的对角的位置；导入路径，所述导入路径连接到所述导入口且沿着所述壳体的设置有所述导入口的第一侧壁的内表面形成；排出路径，所述排出路径连接到所述排出口且沿着所述壳体的设置有所述排出口的第二侧壁的内表面形成；以及冷却流路，所述冷却流路形成于所述导入路径和所述排出路径之间的容纳所述翅片的位置处，所述冷却流路的长度方向与所述导入路径的的长度方向正交，并且

所述导入口的开口的高度大于所述导入路径的高度，在所述导入口和所述导入路径之间的连接部处设置以从所述连接部的底面开始沿所述导入路径的长度方向越远离所述连接部的底面、高度越小的方式倾斜的倾斜面以及从所述壳体的连接所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三侧壁的外侧朝向所述翅片倾斜的倾斜面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接部还包括从所述壳体的底壁的外侧朝向所述翅片倾斜的倾斜面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导入路径形成为流路的宽度朝向所述导入路径的下游侧逐渐减小的形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却流路的长度大于所述导入路径的长度和所述排出路径的长度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述排出口的开口的高度大于所述排出路径的高度，并且在所述排出口和所述排出路径之间的连接部包括以从所述连接部的底面开始沿所述排出路径的长度方向越远离所述连接部的底面、高度越小的方式倾斜的倾斜面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述冷却流路被连接到所述导入路径和所述排出路径的分隔部划分开。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述散热基板和所述壳体彼此金属接合。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述散热基板和所述壳体通过搅拌摩擦焊接方法彼此金属接合。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述散热基板和所述壳体由具有不同成分的金属材料形成。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，通过压模铸造来制造所述壳体。