[发明专利]一种使用热管的压接式IGBT封装结构

权利要求书

1.一种使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述封装结构由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间；

所述热管两端封闭，其内部有导热工质，所述导热工质为水或甲醇，用于传输芯片所发出的热量；所述热管的工作温度范围为-40℃～200℃。

2.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述上端盖采用铜质材料制成，厚度为3.0～6.0mm。

3.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述上端盖对应插热管的位置设有孔，热管与孔之间的间隙中填充导热脂。

4.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述导电铜片的截面为矩形，其厚度为0.5～1.0mm，该截面的面积由所导过的电流决定；导电铜片的侧面为多边形或弧形，在压力作用下自由地被压缩。

5.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述碟簧组由至少一对反向堆叠的碟簧组合而成，其压缩行程范围宜在其最大压缩行程的30％～75％之间。

6.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述底座采用铜质材料制成，其厚度为2.0～4.0mm。

7.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述银片和钼片的形状与芯片形状相对应。

8.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述银片的厚度为0.1～0.5mm，钼片的厚度为1.5～3.0mm。

9.根据权利要求1所述的使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述下端盖采用钼片，厚度为1.5～5.0mm。