[发明专利]具有深阱结构的影像感应器及其制作方法

权利要求书

1.一种影像感应器，包含有：

半导体基材，具有第一导电型，该基材上区分有多个感光区域；

绝缘结构，设于该半导体基材上，分隔开该多个感光区域；

感光结构，设于各该多个感光区域对应的该半导体基材内；以及

深阱结构，具有第二导电型，其中该深阱结构仅设于部分感光区域的该 感光结构下方。

2.如权利要求1所述的影像感应器，其中该半导体基材包括一外延层。

3.如权利要求2所述的影像感应器，其中该外延层为一P^_外延硅层，成 长于一P⁺硅基底上。

4.如权利要求1所述的影像感应器，其中该第一导电型为P型，该第二 导电型为N型。

5.如权利要求1所述的影像感应器，其中该感光结构包含由一轻掺杂阱 以及一重掺杂浅表层所构成的二极管结构。

6.如权利要求5所述的影像感应器，其中该轻掺杂阱具有该第二导电型， 而该重掺杂浅表层具有该第一导电型。

7.如权利要求1所述的影像感应器，其中还包含有介电层，设于该半导 体基材的表面上。

8.如权利要求7所述的影像感应器，其中还包含有彩色滤光膜以及微透 镜层，依序设于该介电层上。

9.如权利要求1所述的影像感应器，其中该多个感光区域包括第一感光 区域、第二感光区域及第三感光区域，分别对应于所述影像感应器的R像素、 G像素及B像素。

10.如权利要求9所述的影像感应器，其中该深阱结构仅设于该第二感 光区域以及该第三感光区域的该感光结构下方。

11.一种影像感应器的制作方法，包含有：

提供一具有第一导电型的半导体基材，该基材上区分有多个感光区域；

在该半导体基材上形成一光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有一开口以 暴露部分感光区域；

进行一离子布置制作工艺，以于暴露的该部分感光区域对应的该半导体 基材内形成一深阱结构，并且该深阱结构具有第二导电型；

在该半导体基材上形成多个绝缘结构，以分隔该多个感光区域；以及

在该多个感光区域对应的该半导体基材内分别形成一感光结构，其中该 深阱结构设于该感光结构下方。

12.如权利要求11所述的影像感应器的制造方法，其中该半导体基材包 括一外延层。

13.如权利要求12所述的影像感应器的制造方法，其中该外延层为一 P^_外延硅层，成长于一P⁺硅基底上。

14.如权利要求11所述的影像感应器的制造方法，其中该第一导电型为 P型，该第二导电型为N型。

15.如权利要求11所述的影像感应器的制造方法，其中该感光结构包含 由一轻掺杂阱以及一重掺杂浅表层所构成的二极管结构。

16.如权利要求15所述的影像感应器的制造方法，其中该轻掺杂阱具有 该第二导电型，而该重掺杂浅表层具有该第一导电型。

17.如权利要求11所述的影像感应器的制造方法，其中于形成该感光结 构之后还包含于该半导体基材的表面上形成一介电层。

18.如权利要求17所述的影像感应器的制造方法，还包含于该介电层上 依序形成一彩色滤光膜以及一微透镜层。

19.如权利要求11所述的影像感应器的制造方法，其中该多个感光区域 包括第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，分别对应于所述影像感 应器的R像素、G像素及B像素。

20.如权利要求19所述的影像感应器，其中该深阱结构仅设于该第二感 光区域以及该第三感光区域的该感光结构下方。