[发明专利]半导体器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410553135.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105514793A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;贾海强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/30;H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
硅基材料基片；
隔离层，其形成于所述基片表面，所述隔离层的材料为金属材料或介质材 料；
化合物基半导体外延材料层，其外延生长于所述隔离层表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基材料为Si 或SOI或GeSi中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属材料包括但 不限于钼、镍、钽、铂、钛、钨、铬中的一种或多种的组合；所述介质材料包 括但不限于SiO2、TiO2、Al2O3、Ti3O5、ZrO2、Ta2O5、SiN、AlN中的一种或多 种的组合。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述化合物基半导体 外延材料层为ⅢⅤ族化合物材料外延层，所述ⅢⅤ族化合物材料外延层材料包 括GaAs、InGaAlAs、InGaAlP材料或GaAsP中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述化合物基半导体 外延材料层的厚度为100nm～15um。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件制备 于所述基片部分表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的化 合物基半导体外延材料层的最小尺寸方向的宽度小于50微米。
8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供一硅基材料基片；
在所述基片表面制备形成隔离层，且所述隔离层具有开口区域，所述隔离 层的材料为金属材料或介质材料；
在所述隔离层开口区域外延生长化合物基半导体外延材料层，并通过侧向 外延方式生长至所述隔离层表面，外延形成材料结构层；
在所述化合物基半导体外延材料层表面制备腐蚀阻挡层；
腐蚀阻挡层腐蚀未被所述腐蚀阻挡层保护的化合物基半导体外延材料层；
清洗所述腐蚀阻挡层，得到所述半导体器件。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述金属材料包括但 不限于钼、镍、钽、铂、钛、钨、铬中的一种或多种的组合；所述介质材料包 括但不限于SiO2、TiO2、Al2O3、Ti3O5、ZrO2、Ta2O5、SiN、AlN中的一种或多 种的组合。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述腐蚀阻挡层包 括光刻胶或金属材料或介质材料；所述金属材料包括但不限于镍、钽、铂、钛、 钨、铬中的一种或多种的组合；所述介质材料包括但不限于SiO2、TiO2、Al2O3、 Ti3O5、ZrO2、Ta2O5、SiN、AlN中的一种或多种的组合。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的 化合物基半导体外延材料层的最小尺寸方向的宽度小于50微米。
12.一种根据权利要求1或8所述的半导体器件在集成电路中的应用。
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