[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201410553591.5 | 申请日: | 2014-10-17 |
公开(公告)号: | CN104821326B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 高在庆;权昭罗 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
一种有机发光显示设备,包括:基板,具有显示区和围绕该显示区的外围区;第一绝缘层,其横跨显示区和外围区位于基板上,并且包括位于外围区的第一开口(例如,第一沟槽或第一孔);以及第一导电层,其位于第一绝缘层上,并且具有位于第一开口中的一个端部,其中基板的顶面和第一导电层的一个端部的顶面之间的距离小于或等于基板的顶面和第一绝缘层的顶面之间的距离,第一导电层的这一个端部的那部分是第一导电层的朝向基板的边缘的部分。
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年2月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0013315的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本申请。
技术领域
本发明的一个或多个实施例涉及有机发光显示设备。
背景技术
通常,有机发光显示设备包括多个有机发光器件,每个有机发光器件包括像素电极、对电极和中间层,中间层被插入在像素电极和对电极之间。中间层包括发射层。在这种有机发光显示设备中,像素电极被布置为相互间隔开,然而对电极相对于多个有机发光器件被形成为单体。此外,对电极与显示区外的电极电源线相接触,并且接收预设的电信号。
然而,在这种相关技术的有机发光显示设备的制造工艺中,在形成电极电源线之后,并且在用于形成绝缘层(例如,像素限定层)的材料被涂敷在电极电源线上以形成绝缘层时,由于下面的电极电源线,形成绝缘层的材料可能不是被平滑地涂敷。
发明内容
根据本发明的一个或多个实施例的方面针对一种有机发光显示设备,该有机发光显示设备具有能够在绝缘层(例如,像素限定层)的形成期间减少缺陷的结构。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地根据描述显而易见,或者可以通过所提供的实施例的实践来领会。
根据本发明的一个或多个实施例,一种有机发光显示设备包括:基板,具有显示区和围绕所述显示区的外围区;第一绝缘层,位于所述基板上以及所述显示区和所述外围区上方,所述第一绝缘层包括位于所述外围区的第一开口(例如,第一沟槽或第一孔);以及第一导电层,位于所述第一绝缘层上并且具有位于所述第一开口中的一个端部,其中所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离小于或等于所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离,所述第一导电层的所述一个端部是所述第一导电层的朝向所述基板的边缘的部分。
所述第一导电层可以具有多层结构,并且构成最上层下面的层的材料的蚀刻速率可以高于构成所述最上层的材料的蚀刻速率。
所述第一导电层可以包括第一Ti层、位于所述第一Ti层上的Al层以及位于所述Al层上的第二Ti层。
所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离可以与所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离相等。
所述第一导电层的所述第一个端部的顶面和所述第一绝缘层的顶面可以形成连续表面。在此情况下,所述第一导电层的厚度可以与所述第一绝缘层的厚度相等。
所述有机发光显示设备可以进一步包括第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述基板和所述第一绝缘层之间并且位于所述显示区和所述外围区上方,所述第二绝缘层具有与所述第一开口相对应的第二开口(例如,第二沟槽或第二孔),其中所述第一导电层的所述一个端部可以位于所述第一绝缘层的所述第一开口和所述第二绝缘层的所述第二开口中,并且所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离可以小于或等于所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离。在此情况下,所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和可以大于所述第一导电层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410553591.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的