[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
申请号: | 201410554058.0 | 申请日: | 2014-10-17 |
公开(公告)号: | CN104681580B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 金永周;申政均;金禧镇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 子像素 第二电极 有机发光显示器 蓝色发光层 基板 红色发光层 绿色发光层 彼此面对 薄膜层 色纯度 基质 制造 | ||
本发明所公开的为一种用于提高色纯度和效率的有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括:具有第一子像素至第三子像素的基板;形成在基板上的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极彼此面对;形成在第一电极和第二电极之间的在第一子像素中的红色发光层;形成在第一电极和第二电极之间的在第二子像素中的绿色发光层;以及形成在第一电极和第二电极之间的在第一子像素至第三子像素中的共用蓝色发光层,其中形成在第一电极与共用蓝色发光层之间并且接触共用蓝色发光层的薄膜层包括蓝色基质。
本申请要求2013年12月2日提交的韩国专利申请第10-2013-0148595号的优先权,通过引用将其如在本文中完全阐述的那样并入本文。
技术领域
本发明涉及用于提高色纯度和效率的有机发光显示器及其制造方法。
背景技术
信息依赖时代的到来引起了在视觉上显示电信息信号的显示器领域迅速发展。在这点上,已经开发了各种平板显示器,这些平板显示器具有优异性能例如薄、重量轻以及功耗低。
平板显示器的实例包括液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)、有机发光显示器(OLED)等。
特别地,与其他平板显示器相比,有机发光显示器自发发光,具有响应速度快、发光效率优异、亮度极好和宽视角的优点。这样的有机发光显示器包括彼此面对的阳极和阴极,使得发光层介于阳极和阴极之间。从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子在发光层复合以形成电子空穴对,即激子。通过激子跃迁到基态时生成的能量发射光。
在常规有机发光显示器中,为了简化制造工艺,提出了通过沉积在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中共同地形成蓝色发光层的构造。然而,当在红色子像素和绿色子像素中形成蓝色发光层的情况下,在从红色发光层和绿色发光层发射红光和绿光时,也会发射蓝色光谱,使得红色光和绿色光的色纯度不利地劣化。
另外,当通过常规沉积工艺形成的蓝色发光层接触通过溶液工艺形成的空穴传输层时,由于空穴传输层的界面与蓝色发光层的界面之间的表面不均匀性,使得蓝色发光层的寿命和效率不利地劣化。
发明内容
因此,本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法,其基本上消除由于相关技术的局限性和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的一个目的为提供有机发光显示器及其制造方法以提高色纯度和效率。
本发明的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述,并且本领域技术人员通过对如下内容的研究或者根据本发明的实践将部分地明了或知晓本发明的附加优点、目的和特征。通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现并获得本发明的目的和其他优点。
如在本文中所实施和宽泛描述的那样,为了实现这些目的和其他优点并且根据本发明的目的,有机发光显示器包括:具有第一子像素至第三子像素的基板;形成在基板上的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极彼此面对;形成在第一电极与第二电极之间的在第一子像素中的红色发光层,形成在第一电极与第二电极之间的在第二子像素中的绿色发光层,以及形成在第一电极与第二电极之间的在第一子像素至第三子像素中的共用蓝色发光层,其中形成在第一电极与共用蓝色发光层之间并且接触共用蓝色发光层的薄膜层包括蓝色基质。
在第一实施方案中,有机发光显示器还可以包括形成在第一子像素的红色发光层、第二子像素的绿色发光层和第三子像素的空穴传输层中的每一个与共用蓝色发光层之间的缓冲层,使得缓冲层接触共用蓝色发光层,其中缓冲层包括缓冲基质和作为蓝色基质的蓝色发光基质。
在第二实施方案中,有机发光显示器还可以包括形成在第一子像素的红色发光层、第二子像素的绿色发光层和第三子像素的空穴传输层中的每一个与共用蓝色发光层之间的缓冲层,使得缓冲层接触共用蓝色发光层,其中缓冲层包括缓冲基质和作为蓝色基质的蓝色空穴传输基质,并且共用蓝色发光层包括蓝色电子传输基质和蓝色掺杂剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的