[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化物介电层，在 所述氧化物介电层上形成有多个锗帽层；

蚀刻所述氧化物介电层，直至露出所述半导体衬底，以形成露出 所述半导体衬底的多个开口；

形成具有作为腔室的沟槽图案的光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂 层的底部宽度大于所述经过蚀刻的氧化物介电层的宽度；

以所述图案化的光致抗蚀剂层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底，以 在所述半导体衬底中形成所述沟槽；

在所述沟槽中沉积金属层；

去除所述图案化的光致抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述氧化物 介电层的工艺步骤包括：在所述氧化物介电层上形成具有所述作为腔 室的沟槽图案的另一光致抗蚀剂层，覆盖所述锗帽层；修剪所述图案 化的另一光致抗蚀剂层，以减小所述另一光致抗蚀剂层的关键尺寸； 以所述经过修剪的另一光致抗蚀剂层为掩膜，蚀刻所述氧化物介电 层，以形成露出所述半导体衬底的多个开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述经过修剪的 另一光致抗蚀剂层的底部宽度大于所述锗帽层的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽后， 所述光致抗蚀剂层的厚度大于3微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度 为20微米-40微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述金属层 之后，还包括采用剥离技术去除所述光致抗蚀剂层的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用Semitool、 ST-44、N₂和去离子水的组合完成所述剥离。

8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。

9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体 器件。