[发明专利]用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路有效
| 申请号： | 201410554697.7 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575422B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张弓;李煜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 测量 sram 传输 器件 阈值 电压 方法 电路 | ||
1.一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法，其特征在于，所述方法包括：
为所述SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；
为所述SRAM的下拉晶体管的衬底施加第二电压；
为所述SRAM的传输门晶体管的衬底施加所述第二电压、漏极施加第三电压；
将所述传输门晶体管中的待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，将所述传输门晶体管中的非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；
为所述传输门晶体管的栅极施加从零到第四电压进行变化的电压；以及
测量所述待测传输门晶体管的沟道电流，当所述沟道电流达到预设电流值时，为所述传输门晶体管的栅极施加的电压为所述待测传输门晶体管的阈值电压。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压为Vdd，所述第二电压为Vss。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三电压与所述第一电压相等。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第四电压与所述第一电压相等。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设电流值为100nA。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，为所述传输门晶体管的栅极施加的电压按照预定步进值从零到所述第四电压进行变化。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定步进值为0.02V。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量所述待测传输门晶体管的沟道电流包括测量所述待测传输门晶体管的漏极节点处的电流。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测传输门晶体管通过选址的方式加以选择。
10.一种根据权利要求1-9中任意一项的方法测量SRAM的传输门器件的阈值电压的电路，其特征在于，所述电路包括待测SRAM，其中：
所述待测SRAM的上拉晶体管的衬底连接第一电源；
所述待测SRAM的下拉晶体管的衬底连接第二电源；
所述待测SRAM的传输门晶体管的衬底连接所述第二电源、漏极连接第三电源、栅极连接第四电源，所述第四电源的电压从零到第四电压进行变化；
所述传输门晶体管中的待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，所述传输门晶体管中的非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；以及
当所述待测传输门晶体管的沟道电流达到预设电流值时所述传输门晶体管的栅极电压为所述待测传输门晶体管的阈值电压。
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