[发明专利]由层堆的第一和第二区段形成的第一和第二磁阻传感器

权利要求书

1.一种传感器装置，包括：

层堆，包括形成在共同基板上的至少铁磁层和非磁层；

至少第一磁阻传感器元件，其由所述层堆的第一区段提供，其中所述第一磁阻传感器元件被配置成生成第一信号；

第二磁阻传感器元件，其由所述层堆的第二区段提供，其中所述第二磁阻传感器元件被配置成生成用于验证所述第一信号的第二信号；以及

验证电路，被配置成将所述第一信号与所述第二信号进行比较。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件被单片集成在共同裸片上。

3.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述层堆的所述第一区段和所述层堆的所述第二区段被安装在分离的切片上。

4.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一区段和所述第二区段包括相同数目的铁磁层和非磁层。

5.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一区段和所述第二区段在所述层堆中被绝缘部件彼此分离。

6.根据权利要求5所述的传感器装置，其中所述绝缘部件包括将所述第一区段和所述第二区段分离的分离件，使得所述第一区段和所述第二区段在与所述共同基板平行的方向上相邻地布置在所述共同基板上。

7.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一磁阻传感器元件至少在尺寸方面与所述第二磁阻传感器元件不同。

8.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第二磁阻传感器元件的宽度的平均值与所述第一磁阻传感器元件的宽度的平均值的40％至60％对应。

9.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件被配置成基于巨磁阻(GMR)效应生成相应信号。

10.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一信号或所述第二信号的信息的精度依赖于对应的磁阻传感器元件的宽度的平均值或由所述对应的磁阻传感器元件利用的磁阻效应。

11.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一磁阻传感器元件被配置成基于巨磁阻(GMR)效应或穿隧磁阻(TMR)效应生成所述第一信号，并且所述第二磁阻传感器元件被配置成基于各向异性磁阻(AMR)效应生成所述第二信号。

12.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第二区段包括第一子区段和第二子区段，其中所述第一子区段的基准磁化与所述第二子区段的基准磁化相反。

13.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件共享相同的基准磁化。

14.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一区段的钉扎层的基准磁化与所述第二区段的钉扎层的基准磁化不同。

15.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述第一信号和所述第二信号包括关于所述磁阻传感器元件中的至少一个磁阻传感器元件和外部磁场之间的角度的信息。

16.一种传感器装置，包括：

层堆，包括形成在共同基板上的至少铁磁层和非磁层；

至少第一磁阻传感器元件，其由所述层堆的第一区段提供，其中所述第一磁阻传感器元件被配置成生成第一信号；

第二磁阻传感器元件，其由所述层堆的第二区段提供，其中所述第二磁阻传感器元件被配置成生成用于验证所述第一信号的第二信号；

第一桥电路，其中所述第一桥电路被配置成提供所述第一信号并且至少部分地包括所述第一磁阻传感器元件；以及

第二桥电路，其中所述第二桥电路被配置成提供所述第二信号并且至少部分地包括所述第二磁阻传感器元件。

17.根据权利要求16所述的传感器装置，其中所述第一桥电路或所述第二桥电路包括另一磁阻传感器元件，其中所述另一磁阻传感器元件的基准磁化与所述第一磁阻传感器元件或所述第二磁阻传感器元件的基准磁化反平行地排列。