[发明专利]压环机构及半导体加工设备

权利要求书

1.一种压环机构，包括用于将被加工工件固定在基座上的压环，其特征在于，在所述压环内沿其周向环绕设置有环形通道；

通过向所述环形通道输送冷却介质，而实现对所述压环进行冷却；

所述压环机构包括用于向所述环形通道输入和输出冷却介质的输送组件，所述输送组件包括可在所述压环升降时随之伸缩的输入管路和输出管路以及两个波纹管；

所述输入管路和输出管路中的每一个管路包括上冷却管和下冷却管，其中，所述上冷却管的上端与所述压环密封连接，所述上冷却管的下端与所述下冷却管的上端相对、且间隔设置，并且在所述上冷却管的下端与所述下冷却管的上端之间设置有环形绝缘件，用以在二者之间形成密封空间，且使二者之间电绝缘；

两个所述波纹管分别套设在所述输入管路和输出管路的下冷却管上，并且每个波纹管的上端与所述下冷却管密封连接，每个波纹管的下端与反应腔室的底部密封连接，用以对所述下冷却管与所述反应腔室之间的间隙进行密封。

2.根据权利要求1所述的压环机构，其特征在于，在所述压环的底面设置有与所述环形通道连通的入流口和出流口；

所述输入管路和所述输出管路分别与所述入流口和出流口连通，且自所述反应腔室的底部延伸出去。

3.根据权利要求2所述的压环机构，其特征在于，所述下冷却管的下端自所述反应腔室的底部延伸出去；

在所述下冷却管的下端连接有柔性管，或者所述下冷却管为柔性管，所述柔性管通过伸直或弯曲而实现所述上冷却管和下冷却管在所述压环升降时随之伸缩。

4.根据权利要求1所述的压环机构，其特征在于，所述输送组件还包括两个真空隔离管，二者分别套设在所述输入管路和输出管路的下冷却管上，且位于所述波纹管的底部；

所述波纹管的下端与所述真空隔离管的上端密封连接，所述真空隔离管的下端与所述反应腔室的底部密封连接。

5.根据权利要求1所述的压环机构，其特征在于，所述输送组件还包括上法兰和下法兰，所述上法兰和下法兰分别套设在所述上冷却管和下冷却管上，且将所述环形绝缘件夹持固定在二者之间；并且，

在所述上法兰与所述环形绝缘件之间，以及所述下法兰与所述环形绝缘件之间分别设置有密封件。

6.根据权利要求2所述的压环机构，其特征在于，所述环形通道为具有两个端部的非闭合环形结构，所述两个端部紧靠在一起；

所述入流口和出流口分别对应地位于所述两个端部处。

7.根据权利要求2所述的压环机构，其特征在于，所述环形通道为闭合的环形结构；

所述入流口和出流口关于所述压环的中心对称。

8.根据权利要求6或7所述的压环机构，其特征在于，所述环形通道为一个或多个，且多个所述环形通道互为同心环。

9.根据权利要求1所述的压环机构，其特征在于，所述冷却介质包括冷却液体或者冷却气体。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，以及用于将被加工工件固定在所述基座上的压环机构，其特征在于，所述压环机构采用权利要求1-9任意一项所述的压环机构。

11.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。