[发明专利]一种多晶硅薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201410555667.8 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104392908A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郝会颖;何明 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；
对所述复合薄膜进行激光辐照，所述非晶硅薄膜晶化，即得所述多晶硅薄膜材料；
其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜是以纯度为99.999％-99.9999％的本征硅靶利用磁控溅射技术沉积而得。
3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，磁控溅射技术沉积非晶硅薄膜的具体条件为：
沉积气压为0.8-2.0Pa，辉光功率为60-80W，氩气流量为20-30sccm，衬底温度为100℃-150℃。
4.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，硅的沉积速率为10-13nm/min。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述金属铝膜是以纯度为99.999％-99.9999％的铝靶在所述非晶硅薄膜上利用磁控溅射技术沉积而成。
6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，磁控溅射技术沉积金属铝膜的具体条件为：
沉积气压为1-2Pa，辉光功率为40-80W，氩气流量为20-30sccm，衬底温度为100-150℃。
7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，铝的沉积速率为9-12nm/min。
8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述金属铝膜与所述非晶硅薄膜的厚度之比为1:16-60。
9.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述激光辐照采用的激光的波长为532nm，光斑直径为20-30μm，激光的能量密度为3.46×104W/cm2-9.61×104W/cm2。
10.根据权利要求9所述的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述激光对所述复合薄膜的扫描速率为0.8-1.5mm/s。
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