[发明专利]覆晶式LED封装体

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装体，特别是指一种覆晶式LED封装体。

背景技术

随着LED产业不断发展，覆晶式发光二极管以其封装体积小、发光面积大等优势正逐步替代常规发光二极管，而广泛应用于LED照明产业。

目前高功率的覆晶式LED封装体包括一基板及形成在所述基板上的半导体结构，为了提高覆晶式LED封装体的发光亮度，会在覆晶式LED封装体的半导体结构上形成多个槽状结构区域并配合负载的电极，此种覆晶式LED封装体一旦形成，制造过程无法重工、结构无法改变，当需要将其运用于不同亮度及功率的场合时，只有重新制作，造成成本提升、资源的浪费。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种结构简单、成本低廉的覆晶式LED封装体。

一种覆晶式LED封装体，包括LED晶粒以及将所述LED晶粒封装其内的封装胶体，LED晶粒具有P电极和N电极，所述P电极和N电极均外露于所述封装胶体之外。

如此设置的覆晶式LED封装体因封装胶内的多个LED晶粒的P电极和N电极均外露，如此，在不同强度及功率的应用场合，通过这些P电极和N电极与不同功率的电路连接方式的电路板配合而实现覆晶式LED晶粒的不同功率及不同亮度。当然，可以理解的，也可以通过选择不同数量的LED晶粒70与同一电路板的连接来实现LED封装体的不同功率及不同亮度。如此，便提升了LED封装体的通用性，进而降低了其制造成本。

附图说明

图1是本发明第一实施例中覆晶式LED封装体与电路板配合的正视图。

图2是图1所示覆晶式LED封装体的仰视图。

图3是图1所示覆晶式LED封装体中晶粒结构的剖视图。

图4为本发明第二实施例中覆晶式LED封装体与电路板配合的正视图。

主要元件符号说明

基板10半导体层20N型半导体层21发光活性层22P型半导体层23P电极231N电极211封装胶体60LED晶粒70电路板80、80a正极81、81a负极82、82a覆晶式LED封装体100、100a