[发明专利]一种智能变电站虚端子设计的优化方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种智能变电站虚端子设计的优化方法，属于智能变电站SCD文件配置技术领域。

背景技术

在常规变电站中，二次设备与一次设备之间、二次设备与二次设备之间均通过大量的电缆交换信息，智能变电站通过智能组件实现了一次设备的测量、控制就地数字化，常规站中基于端子排的硬接线设计变成了基于设备模型功能接口索引的“虚端子”设计，装置之间的虚端子连接关系设计成为智能变电站二次设计的主要内容。

目前虚端子设计主要有两种方式：手工配置和借助辅助工具设计。智能变电站的虚回路设计数量多且复杂，一个220kV变电站的虚回路数量就数以万计，500kV智能变电站的虚回路数量更是惊人，手工配置设计效率极其低下，而且虚端子设计的准确性难以得到保证；借助辅助工具设计，由于输入端子分散在各个以“GOIN”为前缀的LN逻辑节点下，配置虚端子连接关系时，需要人工从各LN逻辑节点下挑选有效的输入虚端子，导致智能变电站虚端子连接配置的效率较低、基于虚端子的工程配置和开发过程中出错率较高。如果不优化现有的智能变电站虚端子设计流程，智能变电站的设计周期会占用很长时间和很多精力，虚端子连线的准确性将影响变电站的可靠运行。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种智能变电站虚端子设计的优化方法，本发明能够减少智能变电站设计阶段的工作量和工作复杂度，提升智能变电站虚端子设计效率和质量。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：

本发明的一种智能变电站虚端子设计的优化方法，具体包括以下几个步骤：

(1)创建典型间隔：根据智能变电站一次系统结构图在智能变电站节点下建立电压等级节点和间隔节点，每个电压等级节点下选中某一个间隔节点作为典型间隔，在典型间隔节点下通过间隔所对应的IED能力描述文件ICD(IED Capability Description)文件实例化智能装置IED(Intelligent Electronic Device)节点；

(2)IED能力描述文件ICD(IED Capability Description)中应预先定义M1访问点(SV访问点)或G1(GOOSE访问点)，并配置采样值发送数据集dsSV或GOOSE发送数据集dsGOOSE；IED能力描述文件ICD(IED Capability Description)中预先定义GOOSE输入虚端子和SV输入虚端子；在IED能力描述文件ICD(IED Capability Description)的访问点下的LLN0逻辑节点下创建Inputs节点，将GOOSE输入虚端子和SV输入虚端子添加到Inputs节点中；

(3)建立典型间隔的GOOSE虚端子/SV虚端子连接关系；

(4)同一电压等级相同类型的间隔内部装置之间的虚端子连接关系是相同的，通过典型间隔复制的方式完成同一电压等级下其它间隔的虚端子连线配置。

步骤(1)中，智能装置IED(Intelligent Electronic Device)具体包括线路保护、线路测控、线路合并单元、线路智能终端、线路保护测控一体化装置、线路智能终端合并单元一体化装置、断路器保护、断路器测控、断路器合并单元、断路器智能终端、主变保护、主变测控、主变智能终端、主变保护测控一体化装置、主变智能终端合并单元一体化装置、电容器保护测控一体化装置、电容器智能终端、电容器智能终端合并单元一体化装置、站用变保护测控一体化装置、站用变智能终端、站用变合并单元和站用变智能终端合并单元一体化装置。

步骤(2)中，在IED能力描述文件ICD(IED Capability Description)中预先定义GOOSE输入虚端子和SV输入虚端子的方法如下：

所述GOOSE输入虚端子及SV输入虚端子均采用GGIO逻辑节点，GOOSE输入虚端子输入GGIO逻辑节点应加GOIN前缀，GOOSE输入虚端子应配置到数据属性DA(Data Attribute)；SV输入虚端子输入GGIO逻辑节点应加SVIN前缀，SV输入虚端子应配置到数据对象(Data Object)。

步骤(2)中，在站控层访问点S1、过程层GOOSE访问点G1或者过程层SV访问点M1下的LLN0逻辑节点下创建Inputs节点。

步骤(2)中，将GOOSE输入虚端子和SV输入虚端子添加到Inputs节点中的方法如下：