[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，

在基板上依次形成缓冲层、金属诱导层；

在所述金属诱导层上形成非晶硅薄膜；

对形成有所述非晶硅薄膜的所述基板进行退火处理，通过所述金属诱导层的诱导作用使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；所述退火处理的温度为300～700℃；

去除因诱导作用而形成在所述低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层；

其中，所述上表面为所述低温多晶硅薄膜远离所述基板一侧的表面；

所述金属诱导扩散层由在退火处理后，扩散到所述上表面的所述金属诱导层中的金属离子，和/或所述金属离子与所述上表面的硅原子发生反应后生成的金属硅化物构成。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上依次形成缓冲层、金属诱导层，包括，

在基板上形成缓冲层；

采用离子注入法，在所述缓冲层远离所述基板一侧的表面形成金属诱导层；其中，注入的离子为Ni、Al、Au、Cu、Pd、Co、以及Ag中的至少一种离子。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，注入的离子浓度为10¹⁰～10¹²个/cm³。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上依次形成缓冲层、金属诱导层，包括，

在基板上形成缓冲层；

采用溅射法，在所述缓冲层远离所述基板一侧的表面上形成金属诱导层；其中，溅射的元素为Ni、Al、Au、Cu、Pd、Co、以及Ag中的至少一种元素。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为450～550℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的时间为15～30min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用等离子刻蚀或湿法刻蚀去除因诱导作用而形成在所述低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子刻蚀采用氩气等离子或氮气等离子。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子刻蚀的时间为10～20s。

10.根据权利要求1至9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，

在所述金属诱导层上形成非晶硅薄膜之后，对形成有所述非晶硅薄膜的所述基板进行退火处理之前，对形成的所述非晶硅薄膜及所述金属诱导层进行图案化处理，得到具有预定图案的所述非晶硅薄膜；

或者，对形成有所述非晶硅薄膜的所述基板进行退火处理之后，去除因诱导作用而形成在所述低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层之前，对形成的所述低温多晶硅薄膜及所述金属诱导扩散层进行图案化处理，得到具有预定图案的所述低温多晶硅薄膜；

或者，去除因诱导作用而形成在所述低温多晶硅薄膜上表面的金属诱导扩散层之后，对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，得到具有预定图案的所述低温多晶硅薄膜；

其中，所述预定图案为对应于薄膜晶体管中有源层的图案。

11.一种薄膜晶体管TFT的制备方法，其特征在于，所述TFT的制备方法包括形成有源层的步骤；

其中，所述有源层为采用上述权利要求10所述的制备方法形成的具有预定图案的低温多晶硅薄膜。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，

在形成有所述有源层的基板上依次形成包括源极与漏极的图案层、栅绝缘层、以及包括栅极的图案层；其中，所述源极、所述漏极与所述有源层直接接触；

或者，在形成有所述有源层的基板上依次形成栅绝缘层、包括栅极的图案层、钝化层、以及包括源极与漏极的图案层；其中，所述栅绝缘层和所述钝化层上形成有露出所述有源层的贯通孔；所述源极、所述漏极通过所述贯通孔与所述有源层相接触。

13.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，所述TFT采用如权利要求11或12所述的制备方法进行制备。

14.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求13所述的TFT。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求14所述的阵列基板。