[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410559225.0 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105590868B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张先明;李志超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金属材料形成的导电层；
步骤S2：对所述器件晶圆进行背部研磨至所述硅通孔的顶部，以减小所述器件晶圆的厚度；
步骤S3：蚀刻所述器件晶圆的背面，以露出部分所述硅通孔；
步骤S4：回蚀刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔表面残留的所述金属材料，
在所述步骤S4中，回蚀刻所述硅通孔，以去除所述器件晶圆背面和/或所述硅通孔侧壁上的由金属扩散和凸起残留的所述金属材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述回蚀刻选用湿法蚀刻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述回蚀刻的时间小于200s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中露出的所述硅通孔的厚度小于10um。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述金属材料选用金属铜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述器件晶圆的正面还形成有载片晶圆。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，所述方法还包括：
步骤S5：沉积介电层，以覆盖所述器件晶圆的背面和露出的所述硅通孔；
步骤S6：平坦化所述介电层至所述硅通孔。
8.一种基于权利要求1至7之一所述方法制备得到的半导体器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
