[发明专利]一种图形化衬底的方法有效
| 申请号： | 201410559500.9 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105514243B | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图形 衬底 方法 | ||
1.一种图形化衬底的方法，其特征在于，包括：
主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在所述掩膜的覆盖面积减小之前结束所述主刻蚀过程；
过刻蚀过程，对经过所述主刻蚀的衬底进行过刻蚀，所述过刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率小于所述主刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述过刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率小于所述主刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率具体为：所述过刻蚀过程所采用的气体压力小于所述主刻蚀过程所采用的气体压力。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述主刻蚀过程所采用的气体压力为2mT～4mT，所述过刻蚀过程所采用的气体压力为1.5mT～2.5mT。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述过刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率小于所述主刻蚀过程中所述掩膜的刻蚀速率具体为：所述过刻蚀过程所采用的气体流量小于所述主刻蚀过程所采用的气体流量。
5.根据权利要求4所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述主刻蚀过程所采用的气体流量为80sccm～150sccm，所述过刻蚀过程所采用的气体流量50sccm～80sccm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述主刻蚀过程的持续时间为10min～15min，所述过刻蚀过程的持续时间为10min～20min。
7.根据权利要求1～5任一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述过刻蚀过程所采用的下电极射频功率不小于所述主刻蚀过程所采用的下电极射频功率。
8.根据权利要求7所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述主刻蚀过程所采用的下电极射频功率为300W～600W，所述过刻蚀过程所采用的下电极射频功率为500W～700W。
9.根据权利要求1～5任一项所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述过刻蚀过程中所述衬底对所述掩膜刻蚀的选择比与所述主刻蚀过程中所述衬底对所述掩膜刻蚀的选择比相同。
10.根据权利要求9所述的图形化衬底的方法，其特征在于，所述衬底对所述掩膜刻蚀的选择比大于或等于0.8。
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