[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法

权利要求书

1.一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过 程之前，在湿法清洗过后，增加使用干法刻蚀的方法对硅衬底(200)所在的晶圆 片的表面进行低量的刻蚀以及再生长出与所述硅衬底(200)相同晶格结构的一硅 成核层(202)，以移除并替代前道工艺中由于等离子体造成的晶格损伤的所述硅 衬底(200)部分，改善所述硅衬底(200)上待外延的沟槽内壁表面的粗糙度和清 洁度。

2.根据权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述改善方法是将所述晶 圆片放在低压、高温的环境条件下，对其表面进行小于5纳米厚度的干法刻蚀。

3.根据权利要求2所述的改善方法，其特征在于，所述低压是指50托以下， 所述高温是指600至800摄氏度。

4.根据权利要求3所述的改善方法，其特征在于，对所述晶圆片的表面进行 干法刻蚀的刻蚀气体为氯化氢气体。

5.根据权利要求4所述的改善方法，其特征在于，所述硅衬底(200)上待外 延的所述沟槽的深度为400至800埃。

6.根据权利要求5所述的改善方法，其特征在于，所述改善方法适用于45纳 米、40纳米、32纳米、28纳米、22纳米或其以下技术节点。