[发明专利]热处理设备有效
申请号: | 201410563389.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576448B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 沈亨基;严泰骏;白种化;朴宰显 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 停滞 衬底 气体喷射模块 热处理设备 处理腔室 惰性气体 光源 收纳 处理腔 界定 氧气 惰性气体填充 侧向 衬底处理 顶部表面 光照射 室外部 输出光 安置 装载 穿过 室内 引入 外部 | ||
1.一种热处理设备,其特征在于包括:
处理腔室,其中具有衬底处理空间;
光源,其安置在所述处理腔室外部以输出光,所述光源将所述光照射到装载到所述处理腔室中的衬底上;以及
板,其安置在所述处理腔室中的所述衬底上并且具有停滞凹槽,
其中所述停滞凹槽安置在所述衬底上方并且具有内部空间,从所述光源发出的所述光和惰性气体穿过所述内部空间并且被引导到所述衬底,所述停滞凹槽是从下侧向上界定的,以使得所述惰性气体收纳在所述停滞凹槽中并且停滞在所述停滞凹槽中,且
其中所述停滞凹槽是具有从所述板的底部表面向上凹陷的凹形形状的凹槽。
2.根据权利要求1所述的热处理设备,其进一步包括透射窗口,所述透射窗口安置在所述处理腔室的上部中以允许从所述光源输出的所述光被透射。
3.根据权利要求2所述的热处理设备,其进一步包括气体喷射模块,其中所述气体喷射模块包括:
惰性气体腔室,所述惰性气体腔室安置在所述透射窗口与所述衬底之间并且具有所述光和所述惰性气体穿过其中的内部空间,所述惰性气体腔室具有位于其下端中的第一缝隙,所述光和所述惰性气体穿过所述第一缝隙;以及
所述板安置在所述惰性气体腔室与所述衬底之间并且具有与所述第一缝隙连通的第二缝隙,所述板延伸以从所述惰性气体腔室向外突出。
4.根据权利要求3所述的热处理设备,其中所述板和所述停滞凹槽中的每一者的宽度大于所述惰性气体腔室的所述内部空间的宽度。
5.根据权利要求4所述的热处理设备,其中所述板的所述底部表面和所述停滞凹槽的顶部表面中的每一者具有具预定曲率的形状。
6.根据权利要求5所述的热处理设备,其中所述板的所述底部表面和所述停滞凹槽的顶部表面中的每一者具有圆弧或弓形形状。
7.根据权利要求3所述的热处理设备,其中所述停滞凹槽具有平坦的顶部表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造