[发明专利]沟槽形貌监控方法以及沟槽形貌监控结构制作方法有效
| 申请号： | 201410563479.X | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104332460B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;杨雪;邹光祎;钟荣祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形貌 监控 方法 以及 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，包括：
提供一沟槽形貌监控结构，所述沟槽形貌监控结构包括形成于半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽，其中，形成所述第二沟槽的掩膜板图形与形成产品沟槽的掩膜板图形相同，形成所述第一沟槽的掩膜板图形的宽度大于形成所述第二沟槽的掩膜板图形的宽度，所述第一沟槽和第二沟槽采用相同的刻蚀程序形成；
利用线宽测量工具测量所述第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量所述第一沟槽的深度；
根据以下公式获得所述第二沟槽的深度：h1＝logam1；h2＝logam2；其中，h1为所述第一沟槽的深度，h2为所述第二沟槽的深度，m1为形成所述第一沟槽的掩膜板图形的宽度，m2为形成所述第二沟槽的掩膜板图形的宽度，a为对数函数的底数；以及
根据所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及所述第二沟槽的深度，利用正切定理获得所述第二沟槽的倾斜度，进而监控产品沟槽的形貌。
2.如权利要求1所述的沟槽形貌监控方法，其特征在于，所述第一沟槽的底部宽度大于台阶测试仪的最小探针直径，所述沟槽形貌监控结构的测量窗口大于台阶测试仪的最小探针直径与两倍的最小步距之和。
3.如权利要求1至2中任一项所述的沟槽形貌监控方法，其特征在于，所述线宽测量工具是光学显微镜、线宽仪或CD-SEM。
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