[发明专利]传导控制晶体管及其制备方法以及CIS芯片结构

权利要求书

1.一种传导控制晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有一N型深阱区和一FD有源区，所 述N型深阱区表面形成有一P型浅掺杂区；

浅槽，形成于所述半导体衬底中，所述浅槽位于所述N型深阱区和所述FD 有源区之间，所述浅槽的深度大于所述P型浅掺杂区的深度，所述浅槽中依次 形成有层叠的传导控制栅极氧化层和传导控制栅极。

2.如权利要求1所述的传导控制晶体管，其特征在于，所述半导体衬底为P 型半导体衬底。

3.如权利要求1所述的传导控制晶体管，其特征在于，所述传导控制栅极 两侧还形成有侧壁氧化层。

4.如权利要求3所述的传导控制晶体管，其特征在于，所述侧壁氧化层背 离所述传导控制栅极的一侧还形成有钝化层。

5.如权利要求4所述的传导控制晶体管，其特征在于，所述钝化层为氮化 硅。

6.如权利要求1所述的传导控制晶体管，其特征在于，所述N型深阱区下 方的所述半导体衬底中还包括有一N型埋层，所述N型埋层与所述N型深阱区 电绝缘。

7.一种传导控制晶体管的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中进行离子注入形成有一N型深阱区， 对所述N型深阱区的表面进行离子注入形成有一P型浅掺杂区；

刻蚀所述N型深阱区之外的部分所述半导体衬底，以形成一浅槽，所述浅 槽的深度大于所述P型浅掺杂区的深度；

在所述浅槽中依次沉积传导控制栅极氧化层和传导控制栅极；

对所述半导体衬底进行离子注入过程，形成一FD有源区，所述浅槽位于所 述N型深阱区和所述FD有源区之间。

8.如权利要求7所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，所述半 导体衬底为P型半导体衬底。

9.如权利要求7所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，在所述 传导控制栅极两侧形成侧壁氧化层。

10.如权利要求9所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，在所述 侧壁氧化层背离所述传导控制栅极的一侧形成钝化层。

11.如权利要求10所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，所述钝 化层为氮化硅。

12.如权利要求7所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，分别对 所述半导体衬底进行一浅掺杂离子注入过程和深掺杂离子注入过程，形成所述 FD有源区。

13.如权利要求7所述的传导控制晶体管的制备方法，其特征在于，在所述N 型深阱区下方的所述半导体衬底中还形成有一N型埋层，所述N型埋层与所述 N型深阱区电绝缘。

14.一种CIS芯片结构，包括传导控制晶体管、复位晶体管、源输出晶体管， 其特征在于，所述传导控制晶体管为如权利要求1-6中任意一项所述的传导控制 晶体管。