[发明专利]一种非对称膜系双银LOW-E玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种镀膜玻璃，更具体地说是一种非对称膜系双银LOW-E玻璃，本发明还涉及一种玻璃的制备方法。

【背景技术】

现有的双银LOW-E玻璃,均采用单银LOW-E玻璃叠加的对称结构，由于第一层银与第二层银厚度基本一致。不同角度观察玻璃时颜色一致，且膜层附着力不够强。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，耐磨性好，钢化时抗高温氧化性能好，不同角度观察玻璃时呈现不同颜色的非对称膜系双银LOW-E玻璃。本发明还提供一种非对称膜系双银LOW-E玻璃的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种非对称膜系双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十一个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为Bi₂O₃层21，第二膜层为TiO₂层22，第三膜层为NiCr_x层23，第四膜层为ZnO层24，第五膜层为Ag层25，第六层膜为CrNiO_y层26，第七膜层为TiO₂层27，第八膜层为AZO层28，第九膜层为Ag层29，第十膜层为CrNiO_y层210，第十一膜层即最外层为Si₃N₄O_y层211。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Bi₂O₃层21的厚度为20～35nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜层的TiO₂层22、第七膜层TiO₂层27的厚度均为25～35nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜层NiCr_x层23的厚度为1～3nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜层ZnO层24的厚度为8～12nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜层Ag层25的厚度为5～8nm，所述第九膜层Ag层29的厚度为12～15nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第六膜层CrN_xO_y层26的厚度为2～4nm、第十膜层CrNiO_y层210的厚度为1～3nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第八膜层AZO层28的厚度为60～80nm。

如上所述的非对称膜系双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第十一膜层Si₃N₄O_y层211的厚度为25～35nm。

一种制备上述的非对称膜系双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Bi₂O₃层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅

射Bi靶，氩氧比为400SCCM～420SCCM：

450SCCM～500SCCM；

(2)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射NiCr_x层，用直流电源、用氮气做反应气体的金属溅射；

(4)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(5)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(6)磁控溅射CrN_xO_y层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体，渗少量氧气；

(7)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；AZO

(8)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷AZO靶；

(9)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(10)磁控溅射CrN_xO_y层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体，渗少量氧气；

(11)磁控溅射Si₃N₄O_y层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，渗入少量氧气。