[发明专利]一种中空电磁屏蔽玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种中空电磁屏蔽玻璃，包括有框架(1)，其特征在于：所述的框架(1)两侧分别设有镀膜玻璃(2)，所述的镀膜玻璃(2)包括玻璃基片(21)，在所述的玻璃基片(21)的外侧面复合有TCO膜(22)，所述的TCO膜(22)膜层总厚度为150～270nm，所述的TCO膜(22)从内到外依次为第一膜层即最内层SiO₂层(221)，第二膜层ITO层(222)，第三膜层SiO₂层(223)，第四膜层ITO层(224)，第五膜层即最外层SiO₂层(225)；所述的第一膜层即最内层SiO₂层(221)的厚度为10～30nm；所述的第二膜层ITO层(222)的厚度为60～90nm；所述的第三膜层SiO₂层(223)的厚度为10～30nm；所述的第四膜层ITO层(224)的厚度为60～90nm；所述的第五膜层即最外层SiO₂层(225)的厚度为10～30nm；所述的镀膜玻璃(2)外侧设有金属窗户框(3)，所述的TCO膜(22)与所述的金属窗户框(3)之间连接有连接导线(4)。

2.一种制备权利要求1中所述的中空电磁屏蔽玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将玻璃基片(21)加热到280～320度，在玻璃基片(21)一侧镀制TCO膜，包括：

(1a)溅射SiO₂膜层，直流反应溅射硅靶，反应气体Ar:O₂为1:2，功率10～30KW,溅射速度2m/min；

(1b)溅射ITO膜层，交流溅射氧化铟锡靶，用氩气溅射，功 率20～30KW，溅射速度2m/min；

(1c)溅射SiO₂膜层，直流反应溅射硅靶，反应气体Ar:O₂为1:2，功率10～30KW，溅射速度2m/min；

(1d)溅射ITO膜层，交流溅射氧化铟锡靶，用氩气溅射，功率20～30KW，溅射速度2m/min；

(1e)溅射SiO₂膜层，直流反应溅射硅靶，反应气体Ar:O₂为1:2，功率10～30KW，溅射速度2m/min；

(2)在镀有TCO膜层的玻璃边缘铺覆银导线；

(3)将两块镀有TCO膜层的玻璃中间夹框架合成中空玻璃；

(4)将涂有TCO膜层玻璃上的连接导线与金属窗户框架相连，形成法拉第笼，从而制成中空电磁屏蔽玻璃。