[发明专利]一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：玻璃瓶的化学清洗干燥、使用密封静气法的氧等离子体轰击工艺和使用密封静气法的薄膜生长工艺；且制备过程中所使用的PECVD装置包括专用PECVD样品托架，玻璃瓶扣在所述专用PECVD样品托架上形成密封反应室。

2.根据权利要求1所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于所述玻璃瓶的化学清洗干燥步骤为：将待镀膜的玻璃瓶依次进行丙酮超声清洗、去离子水超声清洗、乙醇超声清洗、烘干。

3.根据权利要求1所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于所述密封静气法为：CVD工艺过程中的反应气体源进入、反应过程、反应废气抽出的三个过程分步相继进行，在前一个工艺步骤完成后再进入下一个工艺步骤。

4.根据权利要求3所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于所述使用密封静气法的氧等离子体轰击工艺为：

将完成化学清洗干燥的玻璃瓶置于专用PECVD样品托架的上；

打开真空泵抽真空，抽真空；

关闭真空泵，将保护气体和O₂以设定体积比通入瓶内，当压强为250 pa～300Pa时，关闭保护气体和O₂流量阀；

开启微波发生器，进行等离子体轰击；

开启真空泵将瓶内残余的气体抽出后关闭真空泵。

5.根据权利要求4所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于：所述保护气体为Ar；所述保护气体和O₂的设定的体积比为12:4。

6.根据权利要求1至5中任一项所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于所述使用密封静气法的薄膜生长工艺为：

将SiH₄、Ar与O₂以设定体积比混合通入玻璃瓶内，当瓶内压强达到300～350pa时关闭气体流量阀；

开启微波发生器，进行辉光放电生长薄膜；

开启真空泵将瓶内残余气体抽掉后关闭真空泵。

7. 根据权利要求6所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于：所述SiH₄、Ar与O₂的设定体积比为1:3:3。

8.根据权利要求1所述一种玻璃瓶内壁阻隔性薄膜的制备方法，其特征在于：所述专用PECVD样品托架上开有凹槽（1），凹槽（1）底部和侧部分别开有进气口（2）和抽气口（3）。