[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

第一衬底，所述第一衬底包括：

有源层，所述有源层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述有源层包括终止层及第一侧壁，所述第一侧壁位于所述终止层上；及

半导体层，所述半导体层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述半导体层的第一表面邻近于所述有源层的第二表面且所述半导体层具有第二侧壁，所述第二侧壁从所述第一侧壁延伸到所述半导体层的第二表面，其中所述第一侧壁、所述第二侧壁与所述终止层围绕第一空间；

第二衬底，所述第二衬底包括：

第一表面；

第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面且连接所述有源层的第一表面；

及

贯穿孔，所述贯穿孔显露所述有源层的第一表面的第一部分；及

多个导通孔，所述多个导通孔从所述半导体层的第二表面朝向有源层延伸且电性连接多层金属层，所述多层金属层被包括在所述有源层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括盖体，所述盖体位于所述第二侧壁上方，所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述终止层及所述盖体围绕第一空间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述终止层的几何中心与所述有源层的第一表面的第一部分的几何中心大体上对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括连接材料，所述连接材料位于所述第二衬底的第二表面与所述有源层的第一表面之间，且所述连接材料包含连接所述贯穿孔及所述第二衬底外部的通道。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述有源层进一步包括多层金属层，所述多层金属层电性连接到所述有源层的第一表面。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中所述多层金属层电性连接到所述有源层的第一表面的第一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含：

线路重布层，所述线路重布层位于所述半导体层的第二表面上且电性连接所述多个导通孔；

第一介电层，所述第一介电层位于所述半导体层的第二表面上且包覆所述线路重布层；

多个球下金属层，所述多个球下金属层位于所述线路重布层上；

第二介电层，所述第二介电层位于所述第一介电层上且包覆所述线路重布层及所述多个球下金属层；及

多个电性连接元件，所述多个电性连接元件位于所述线路重布层及所述多个球下金属层上；及

盖体，所述盖体位于所述第二侧壁上方，

其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述终止层及所述盖体形成第一空间。

8.一种制造半导体封装结构的方法，其包括以下步骤：

(a)提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述第一衬底包括至少一第一开孔，所述至少一第一开孔从所述第二表面朝向所述第一表面延伸到所述第一衬底内部；

(b)提供第二衬底，所述第二衬底具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述第二衬底包括终止层；

(c)将所述第一衬底的第二表面连接到所述第二衬底的第一表面；

(d)从所述第二衬底的第二表面形成延伸到所述终止层上的至少一第二开孔；

(e)密封所述至少一第二开孔以形成空间；及

(f)从所述第一衬底的第一表面薄化所述第一衬底以形成至少一贯穿孔，以使所述至少一贯穿孔显露所述第二衬底的第一表面的第一部分。

9.根据权利要求8所述的制造半导体封装结构的方法，其中步骤(d)进一步包括在形成所述至少一第二开孔前，电性连接所述第二衬底的第二表面与所述第二衬底的第一表面的第一部分。

10.根据权利要求8所述的制造半导体封装结构的方法，其中步骤(c)进一步包括使用连接材料将所述第一衬底的第二表面连接到所述第二衬底的第一表面，并且在所述连接材料形成至少一通道。

11.一种半导体封装结构，其包括：

第一衬底，所述第一衬底包括：

有源层，所述有源层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述有源层包括终止层及多层金属层，所述终止层的水平高度相同于所述多层金属层中任意两层金属层之间的水平高度，其中所述有源层包括第一侧壁，所述第一侧壁位于所述终止层上；及

半导体层，所述半导体层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述半导体层的第一表面邻近于所述有源层的第二表面，其中所述半导体层包括第二侧壁，所述第二侧壁从所述第一侧壁延伸到所述半导体层的第二表面，且其中所述第一侧壁、所述第二侧壁与所述终止层围绕第一空间；

第二衬底，所述第二衬底包括：

第一表面；

第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面且连接所述有源层的第一表面；

及

贯穿孔，所述贯穿孔显露所述有源层的第一表面的第一部分；及

多个导通孔，所述多个导通孔从所述半导体层的第二表面朝向有源层延伸且电性连接所述多层金属层。