[发明专利]防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法有效
| 申请号： | 201410566098.7 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104269484B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡弃疾;苗振林;汪延明 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人： | 于淼,孙婷 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 镀铝 led 芯片 电极 产生 麻点 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括：
蒸镀第一层铬，所述第一层铬的厚度为
在所述第一层铬上，将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N1+N2+…+Nn，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕,所述铝膜的总厚度为其中N1＝N2＝…＝Nn，所述每个部分层进行蒸镀的时间相等，蒸镀铝膜的过程在压力小于3.0×10-5Pa的真空条件下进行，温度为20～50℃，蒸镀速率为
在铝膜上，蒸镀第二层铬，所述第二层铬的厚度为
在所述第二层铬上蒸镀铂，所述铂的厚度为
在所述铂上蒸镀金，所述金的厚度为
2.一种采用根据权利要求1所述的防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法制备的LED芯片电极。
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