[发明专利]片式电子组件及其制造方法有效
申请号: | 201410566473.8 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104575937B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 金成贤;朴明顺;金圣嬉;金珆暎;车慧娫 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/32;H01F41/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;安宇宏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种片式电子组件,包括:
磁性主体,其中嵌入有线圈导电图案部;以及
氧化物绝缘膜,设置在线圈导电图案部的表面上,
其中,所述片式电子组件还包括涂覆氧化物绝缘膜的聚合物绝缘膜,
聚合物绝缘膜的表面的形状与线圈导电图案部的表面的形状对应,
线圈导电图案部的相邻图案之间的区域填充有磁性材料,
形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜的平均厚度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜的平均厚度。
2.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,氧化物绝缘膜由包含形成线圈导电图案部的至少一种金属的金属氧化物形成。
3.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,氧化物绝缘膜具有0.6μm至0.8μm的表面粗糙度。
4.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜的表面粗糙度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜的表面粗糙度。
5.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,氧化物绝缘膜具有0.5μm至2.5μm的厚度。
6.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,形成在线圈导电图案部的上表面上的氧化物绝缘膜具有1.8μm至2.5μm的厚度。
7.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,形成在线圈导电图案部的侧表面上的氧化物绝缘膜具有0.8μm至1.8μm的厚度。
8.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,聚合物绝缘膜具有1μm至3μm的厚度。
9.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,氧化物绝缘膜与聚合物绝缘膜之间的平均厚度比为1:1.2至1:3。
10.如权利要求1所述的片式电子组件,其中,通过包括如下步骤的方法来制造氧化物绝缘膜:
通过使线圈的外层氧化来形成氧化物绝缘膜。
11.如权利要求10所述的片式电子组件,通过包括如下步骤的方法来制造氧化物绝缘膜:
通过在高温或高湿环境下暴露线圈或者通过化学蚀刻来形成氧化物绝缘膜。
12.如权利要求11所述的片式电子组件,其中,氧化物绝缘膜具有0.6μm至0.8μm的表面粗糙度。
13.一种片式电子组件,包括:
磁性主体,包括绝缘基板;
线圈导电图案部,设置在绝缘基板的至少一个表面上;
第一绝缘膜,设置在线圈导电图案部的表面上;
第二绝缘膜,涂覆第一绝缘膜,
其中,第二绝缘膜包含聚合物,
第二绝缘膜的表面的形状与线圈导电图案部的表面的形状对应,
线圈导电图案部的相邻图案之间的区域填充有磁性材料,
形成在线圈导电图案部的上表面上的第一绝缘膜的平均厚度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的第一绝缘膜的平均厚度。
14.如权利要求13所述的片式电子组件,其中,第一绝缘膜由具有包含在线圈导电图案部中的至少一种金属的金属氧化物形成。
15.如权利要求13所述的片式电子组件,其中,第一绝缘膜具有0.6μm至0.8μm的表面粗糙度。
16.如权利要求13所述的片式电子组件,其中,形成在线圈导电图案部的上表面上的第一绝缘膜的表面粗糙度大于形成在线圈导电图案部的侧表面上的第一绝缘膜的表面粗糙度。
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