[发明专利]一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，该方法先分别制备带钴酸镧纳米晶种的基片和带掺杂钴酸镧纳米棒阵列的氧化铝模板；再将二者贴合后进行烧结，使钴酸镧纳米晶种与钴酸镧纳米棒烧结在一起，去除氧化铝模板后得到掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器，其中，钴酸镧纳米晶种作为衔接层用于保证钴酸镧纳米棒的结构稳定性和形成一层导电通道。

2.根据权利要求1所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述制备涂覆有钴酸镧纳米晶种的基片的过程为：在浓度为50～100g/L的钴酸镧纳米颗粒溶液中，加入与钴酸镧质量比为8:1～12:1的分散剂，超声震荡形成悬浊液；再将其滴在传感器基板上，匀胶旋涂形成一层钴酸镧纳米晶种，制得涂覆钴酸镧纳米晶种的基片；所述钴酸镧纳米颗粒溶液的溶剂为乙二醇、异丙醇或乙醇，分散剂为十二烷基硫酸钠、乙基纤维素或甲基戊醇。

3.根据权利要求1或2所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，制备带掺杂钴酸镧纳米棒阵列的氧化铝模板的过程为：将摩尔Co/La＝(0.8～1.2)：1的钴盐和镧盐，溶于去离子水，然后加入与Co等摩尔的双氧水，并加入与钴摩尔比为0.01～0.4的掺杂元素的氯化物、硝酸盐、碳酸盐或醋酸盐，缓慢搅拌后在60～70℃静置形成溶胶；

再将氧化铝模板，缓慢放入到所述溶胶中浸渍30～60分钟后取出干燥，重复放入取出过程2～6次；之后，将氧化铝模板在300～500℃煅烧1～3小时，700～900℃煅烧2～4小时，煅烧后的氧化铝模板随炉温降到室温后取出，得到带掺杂钴酸镧纳米棒阵列的氧化铝模板。

4.根据权利要求1或2所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1100～1300℃，时间为2～5小时。

5.根据权利要求1或2所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述去除氧化铝模板的过程为：

将烧结后的氧化铝模板在质量分数为4～6的NaOH或KOH溶液中浸渍2～4小时，待模板全部溶解掉后洗涤、干燥。

6.根据权利要求1或2所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，钴盐和镧盐为钴和镧的氯化物、硝酸盐、碳酸盐或醋酸盐，优选硝酸盐。

7.根据权利要求1或2所述的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述掺杂元素为锶、铈或钯。

8.一种按照权利要求1所述制备方法获得的掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器。