[发明专利]一种带通滤波器

说明书

技术领域

本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种带通滤波器。

背景技术

在微波室外射频单元模块中，为了抑制功放的倍频谐波(主要为二次谐波)，满足系统杂散规格，要求微波滤波器具备较高的二次谐波抑制度。当前室外射频单元微波滤波器的谐振腔普遍采用矩形或圆形波导谐振腔构成，这些形式的谐振腔虽具备较高的品质因素Q值，但由其级联得到的带通滤波器第一寄生通带距离有用通带很近，而第二寄生通带非常靠近2*fo(fo为基模对应的谐振频率，基模为谐振腔频率最低的谐振模式)，因此对功放的二次谐波抑制不满足杂散规格要求。

为解决这一问题，常采用如下方法：

第一种，在滤波器排腔空间充足的情况下，将微波滤波器级联一个低通滤波器，以此提高二次谐波抑制度。这种方法会使得滤波器体积变大，在空间受限情况下排腔复杂，滤波器成本高，且低通回波指标较差，级联滤波器调试难度大。

第二种，全部采用同轴谐振腔构成带通滤波器，由于同轴谐振腔的二次谐振模式对应的谐振频率在2.5*fo左右，因此具有较高的二次谐波抑制度。但是这种滤波器的单腔Q值低，滤波器插损大，且滤波器可调范围小。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种带通滤波器，既能够保证滤波器的插损指标，又能提高滤波器的二次谐波抑制度。

本发明实施例提供的带通滤波器包括：首尾腔和中间腔，所述首尾腔的品质因数Q值低于所述中间腔的Q值，所述首尾腔的谐波抑制度高于所述中间腔的谐波抑制度。

可选地，所述首尾腔与所述中间腔之间采用感性窗进行耦合。

可选地，所述首尾腔包括同轴谐振腔，所述中间腔包括波导腔或介质谐振腔。

可选地，所述首尾腔的二次谐振模式对应的谐振频率大于等于2.5倍的基模对应的谐振频率。

可选地，所述首尾腔包含两个或两个以上的谐振腔。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：

本发明实施例中，采用Q值低、谐波抑制度高的谐振腔作为滤波器的首尾腔，采用Q值高、谐波抑制度低的谐振腔作为滤波器的中间腔。本发明实施例中，构成滤波器的谐振腔具有不同Q值，且将Q值低的谐振腔作为首尾腔，可以最大程度减小对滤波器插损的影响；同时构成滤波器的谐振腔具有不同谐波抑制度，且将谐波抑制度高的谐振腔作为首尾腔，能够提高滤波器的二次谐波抑制度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明带通滤波器一个实施例示意图；

图2为本发明带通滤波器另一实施例示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明带通滤波器一个实施例包括首尾腔和中间腔，所述首尾腔的Q值低于所述中间腔的Q值，所述首尾腔的谐波抑制度高于所述中间腔的谐波抑制度，即所述首尾腔与所述中间腔是具有不同Q值，不同谐波抑制度的谐振腔。

具体实现中，首尾腔与中间腔之间采用感性窗进行耦合。

图1中的首尾腔A、F可以是同轴谐振腔，当然也可以是具有更好谐波抑制度的其他谐振腔；中间腔B、C、D、E可以是波导谐振腔或介质谐振腔，当然也可以是Q值更高的其他谐振腔。

本实施例中，可以理解成，将由普通的具有高Q值、低谐波抑制度的谐振腔构成的滤波器的首尾腔替换成具有低Q值，高谐波抑制度的谐振腔。例如，将由波导谐振腔构成的带通滤波器的首尾腔替换为同轴谐振腔。

具体实现中，首尾腔的二次谐振模式对应的谐振频率大于等于2.5倍的基模对应的谐振频率，以保证首尾腔具有低Q值、高谐波抑制度的特性。

图1所示的首尾腔为两个低Q值、高谐波抑制度的谐振腔，为进一步提高带通滤波器的二次谐波抑制度，可将首尾腔设置成两个以上的具有低Q值、高谐波抑制度的谐振腔。