[发明专利]一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法

权利要求书

1.一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1)：在生长温度为900～1000℃，反应管内部为正压且V/III ratio为10～80的条件下，在蓝宝石基板(1)上生长第一氮化镓缓冲层(2)；

步骤2)：在生长温度为900～1000℃，反应管内部为负压且V/III ratio为2～10的条件下，在步骤1)制得的第一氮化镓缓冲层(2)上生长第二氮化镓缓冲层(3)：

步骤3)：在步骤2)制得的第二氮化镓缓冲层(3)上，交替重复步骤1)和步骤2)，使第一氮化镓缓冲层(2)与第二氮化镓缓冲层(3)反复交替生长，得到氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构。

2.如权利要求1所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述第一氮化镓缓冲层(2)是经过以垂直生长为主的3次元生长形成的。

3.如权利要求1所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述第二氮化镓缓冲层(3)是经过以侧面生长为主的2次元生长形成的。

4.如权利要求1所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述步骤3)中的交替重复步骤1)和步骤2)具体为：第一氮化镓缓冲层、第二氮化镓缓冲层交替生长，各生长2～10次，且两者的层数相同。

5.如权利要求1所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述步骤1)的中正压具体为750～800torr；生长时间为1～5分钟。

6.如权利要求1所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述步骤2)中的负压具体为700～750torr；生长时间为1～5分钟。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，在1000～1040℃的生长温度下，可在所述步骤3)制得的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构上生长氮化镓厚膜。

8.如权利要求7所述的氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，所述氮化镓厚膜的厚度至少300μm。