[发明专利]薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的液晶显示装置在审
申请号: | 201410568521.7 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104749838A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 张勳;李瑟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 使用 液晶 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
在第一方向上布置于基板上的栅极线和与所述栅极线连接的子栅极线;
在第二方向上布置于所述基板上的数据线,所述数据线与所述栅极线一起限定像素,所述像素包括第一像素和第二像素;
形成为与所述栅极线、所述子栅极线和所述数据线的每一个重叠并与所述数据线连接的半导体层;和
与所述半导体层连接的像素电极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述栅极线通过形成于所述像素内的桥接线与所述子栅极线连接。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述栅极线通过形成于显示图像的显示区域外侧的非显示区域中的桥接线与所述子栅极线连接。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述数据线包括弯曲部分,且所述像素电极的一个端部形成于面向所述弯曲部分的区域中。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述半导体层与所述数据线直接连接,且所述半导体层通过岛状结构的漏电极与所述像素电极连接。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板,其中所述漏电极形成于所述第一像素中但不形成于所述第二像素中。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述半导体层包括与布置在所述像素一侧的所述数据线连接的第一半导体层和与布置在所述像素另一侧的所述数据线连接的第二半导体层,所述像素电极包括与所述第一半导体层连接的第一像素电极和与所述第二半导体层连接的第二像素电极,且所述第一像素电极从所述第一像素延伸至所述第二像素,所述第二像素电极在所述第一像素内延伸。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,进一步包括额外形成于所述像素电极下方的公共电极,所述公共电极与所述像素电极一起形成边缘场。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一像素的面积大于所述第二像素的面积,且所述第一像素的开口区域小于所述第二像素的开口。
10.一种液晶显示装置,包括:
薄膜晶体管基板;
对向基板;和
形成于这些基板之间的液晶层,
其中所述薄膜晶体管基板包括:
在第一方向上布置于基板上的栅极线和与所述栅极线连接的子栅极线;
在第二方向上布置于所述基板上的数据线,所述数据线与所述栅极线一起限定像素,所述像素包括第一像素和第二像素;
形成为与所述栅极线、所述子栅极线和所述数据线的每一个重叠并与所述数据线连接的半导体层;和
与所述半导体层连接的像素电极。
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