[发明专利]DRAM中子单粒子效应试验方法在审
| 申请号： | 201410568914.8 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105590651A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王群勇;陈冬梅;阳辉;陈宇;薛海红;张峰 | 申请（专利权）人： | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dram 中子 粒子 效应 试验 方法 | ||
1.一种DRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，包括：
S1：配置DRAM，在所述DRAM中写入初始值，回读所述DRAM 中的写入值得到第一回读结果；
S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述DRAM中的写 入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计 发生的错误数；
S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当 前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。
2.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其 特征在于，所述预设的错误数为90～110之间的任意值。
3.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其 特征在于，所述第二预设的注量为108n/cm2～1010n/cm2之间的任意值。
4.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其 特征在于，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括：
记录所述DRAM的当前功耗电流，并判断所述当前功耗电流是否 超出预设的功耗电流范围。
5.根据权利要求1所述的DRAM中子单粒子效应试验方法，其 特征在于，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括：
记录所述DRAM的当前工作电压，并判断所述当前工作电压是否 超出预设的工作电压范围。
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