[发明专利]一种VDMOS器件的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种VDMOS器件的制作 方法。

背景技术

VDMOS(VerticalDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor， 垂直双扩散金属氧化物半导体)晶体管兼有双极晶体管和普通MOS (MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)器件的优点，无 论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS 主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、 汽车电器和电子镇流器等。VDMOS的制造过程为：首先，在重掺杂 N+衬底上生长一层N型外延层；其次，由P型基区与N+源区的两次横 向扩散结深之差形成沟道，这两个区域在离子注入过程中都是通过栅 自对准工艺注入各自的掺杂杂质。

一般VDMOS器件是在硅基衬底的外延片上制造形成的，外延片 的质量直接影响到VDMOS器件的电特性，由于在硅基衬底的制造过 程中，不可避免会引入大量的缺陷以及晶格位错。对于半导体材料而 言，位错是半导体材料中一种比较常见的缺陷，指原子的局部不规则 排列，对半导体材料以及在其上制作的半导体器件的性能会产生严重 影响。大量的位错会向上延伸至外延层中，这些外延层中的位错会成 为后续在其上制作的VDMOS器件表面漏电以及体内击穿的主要原 因。

因此，如何控制外延层内的缺陷及位错，成为提升VDMOS器件 性能的一个非常重要的关键。

发明内容

为了解决现有外延层存在位错缺陷对VDMOS器件的电特性产生 不利影响的技术问题，本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法， 包括：

在衬底的第一表面上形成保护层；

按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区域，得到与所述 预设图形相应的保护层图形；

采用横向外延生长方式在所述保护层图形的上方区域和窗口区 域形成外延层。

可选的，所述衬底为单晶硅，所述保护层为氧化硅或氮化硅。

可选的，所述按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区 域，得到与所述预设图形相应的保护层图形包括：

在所述保护层上形成光刻胶，并利用具有所述预设图形的掩膜板 对所述光刻胶进行曝光，形成与所述预设图形相应的光刻胶图形；

按照所述光刻胶图形对所述保护层进行刻蚀，得到与所述预设图 形相应的保护层图形；

剥离所述保护层图形上方的光刻胶图形。

可选的，所述预设图形为：方形、圆形或菱形中的任意一种。

可选的，所述横向外延生长方式包括：

所述窗口区域的外延层生长方向为垂直于所述衬底向上；

所述保护层图形上方区域的外延层生长方向为平行于所述衬底， 并以所述窗口区域为对称中心向相反的两个反向。

可选的，所述形成外延层之后，还包括：

采用外延生长方式或横向外延生长方式在所述外延层上重复形 成多层外延层。

可选的，所述外延层的层数至少为1层，最多为5层。

可选的，在所述外延层上方依次形成栅极氧化层、多晶硅层、介 质层以及第一金属层，并将所述多晶硅层作为VDMOS器件的栅极， 将第一金属层作为VDMOS器件的源极。

可选的，在所述衬底的第二表面沉积第二金属层，刻蚀形成所述 VDMOS器件的漏极。

可选的，所述形成VDMOS器件的漏极之前，还包括：

对所述衬底的第二表面进行背面减薄工艺，去掉所述衬底和所述 保护层图形。

本发明提供的方法，首先在衬底上形成保护层图形，之后采用横 向外延生长方式在保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层，利 用保护层图形对外延生长方向进行控制，可以将衬底内的位错横向拉 伸，由此生长的外延层的位错密度较衬底可以低2-3个数量级，能够 大幅提高外延层质量，进而提高VDMOS器件的电性能。

附图说明

图1为本实施例提供的一种VDMOS器件的制作方法的步骤流程 图；

图2为本实施例中步骤S20的步骤流程图；

图3为本实施例中在在硅衬底01上制作一层氧化硅02的示意图；

图4为本实施例中在氧化硅02上曝光形成光刻胶图形的示意图；