[发明专利]阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管和设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极上方的钝化层，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层上位于所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分与所述钝化层相贴合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述源极和所述漏极的材料为铜、铝、钨、钕、钼、铌和锑中的任意一者，或者上述金属中不少于任意两者的合金，或者上述金属或合金中不少于任意两者的层叠。

3.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1或2所述的阵列基板。

4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上设置薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的源极和漏极上方形成钝化层，其中，所述薄膜晶体管的有源层上位于所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分与所述钝化层相贴合。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上设置薄膜晶体管的步骤具体包括：

在所述衬底基板上形成半导体层；

通过第一次构图工艺形成包括所述薄膜晶体管的有源层的图形和位于所述有源层的沟道区域正上方的保护层；

形成源漏金属层；

通过第二次构图工艺形成包括源极和漏极的图形；

剥离所述有源层的沟道区域正上方的保护层和覆盖在所述保护层上方的金属，露出所述沟道区域。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，露出所述沟道区域之后进一步包括以下步骤：

进行清洗，去除所述金属被剥离区域产生的悬空边缘。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次构图工艺具体包括：

在所述半导体层上形成光刻胶；

使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行光刻，之后对所述半导体层进行刻蚀，形成包括所述有源层的图形，并且保留位于所述有源层上方的光刻胶；

对位于所述有源层上方的光刻胶进行灰化，以保留并减薄位于所述有源层的沟道区域正上方的光刻胶，使其成为保护层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，减薄后的位于所述有源层的沟道区域正上方的光刻胶的厚度小于或者等于所述源漏金属层的厚度。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述半导体层上形成光刻胶的步骤中：

所述光刻胶的厚度在1.5μm-3.5μm之间，所述光刻胶的固化温度在135°-145°之间，所述光刻胶的固化时间在90s-150s之间，所述光刻胶的坡度角在30°-40°之间。

10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对位于所述有源层上方的光刻胶进行灰化的步骤中：

所述光刻胶的坡度角保持在30°-40°之间。