[发明专利]一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法无效
| 申请号： | 201410570173.7 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104401995A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐所成;徐永宽;孟大磊;张政;张皓 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 多晶 鳞片 石墨 制备 高纯 碳化硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法，其特征在于：
其步骤如下：
步骤一.将鳞片石墨和多晶硅块按质量比为1:2-1:2.5装入石墨坩埚中, 将多晶硅块置于石墨坩埚底层,然后将鳞片石墨均匀铺散在多晶硅块上面；
步骤二.将装有鳞片石墨和多晶硅块的石墨坩埚放入感应炉中，抽真空4-10小时，真空度达到10-5mbar；
步骤三.将温度迅速升至1300-1600℃，充入氩气或氩气和氢气的混合气体，氩气流量为0.1-5L/min，氢气流量为0-1L/min，压力为3-20mbar，并保温2-4小时；
步骤四.将温度迅速升至1800-2300℃，升温速率为10-30℃/min，保温2-10小时；
步骤五.取出合成好的碳化硅粉在石墨研钵中粉碎，即得到高纯碳化硅粉。
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